Обосновать выбор VD1. Рассчитать элементы схемы R1, R2, R3, C1. Рассчитать параметры входного воздействия Uвх. Рисунок 1

Обосновать выбор VD1. Рассчитать элементы схемы R1, R2, R3, C1. Рассчитать параметры входного воздействия Uвх. Рисунок 1 – Схема включения СИД в динамическом режиме При решении задачи необходимо учесть, что входная характеристика биполярного транзистора представлена на рисунке 2. Рисунок 2 – Входная характеристика биполярного транзистора

Выбор светодиода
По условиям задания L = 0,1 + 0,05∙ cos(ω∙t). Это означает, что 0,05 ≤ L ≤ 0,15 мКд (среднее значение L=0,1 мКд).
Выберем светодиод по двум критериям: цвет – красный, сила света L=0,15 мКд при 10 мА. Выбираем тип светодиода АЛ307А с падением напряжения на светодиоде Uпр = 1,5 В.
Таблица 1 – Параметры светоизлучающего диода АЛ307А.
Тип Цвет свечения Сила света, мкд при
I=10 мА SYMBOL 108 \f "Symbol" \s 12lmax,
мкм Uобр max,
B Uпр
B Iпр max,
мА
АЛ307А красный 0,15 0,666 2 1,5 20
Расчёт параметров схемы
Задаём примерное падение выходного напряжения на биполярном транзисторе БТ: Uкэ=0,5∙Е=0,5∙6=3,0 В
Рассчитаем ток через светодиод:
IVD=LЗАДАННОЕLПАСПОРТНОЕ=0,1∙10-3мКд0,15∙10-3мКд≈0,667
Рисунок 3 – Излучательная характеристика
По рисунку 3 находим Iпр = 7,8 мА.
Составляем уравнение для выходного контура схемы рисунка 1 по второму закону Кирхгофа: ; отсюда определяем падение
напряжения на R3: UR3=Е-Uкэ-UVD=6-3-1,5=1,5 В.
Рассчитываем сопротивление R3: R3=UR3Iпр=1,5 В7,8∙10-3 А≈192 Ом.
Выбираем R3 по ГОСТ 28884–90: R3=191 Ом±1%.
Выберем точку на прямом участке входной характеристике БТ, показанной на рис.2

. Тогда входной ток IБ и напряжение UБЭ: UБЭIБ=0,95В(60мА).
UR2=UR3+UБЭ=1,5+0,95=2,45 В.
Ток делителя выбираем в 10 раз больше, чем ток базы.
Отсюда. R2=UR2Iдел=UR2IБ∙10=2,450,6∙10-3≈4083 Ом.
Выбираем по ГОСТ 28884–90 R2=4120 Ом±1%.
Составляем по второму закону Кирхгофа уравнение для контура с делителем напряжения: