Определить концентрацию носителей заряда. Начертить диаграмму, указав на ней положение свободных и связанных электронов,

Определить концентрацию носителей заряда. Начертить диаграмму, указав на ней положение свободных и связанных электронов, положение дырок. Определить ширину запрещенной зоны ΔW, считая, что плотность состояний в зоне проводимости NC=2,75⋅1025 м3 Найти величину плотности дрейфового тока через образец, если напряженность поля равна Е = 300 В/м.

1)
Концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике (электронов и дырок равны)
ni=pi
Проводимость такого полупроводника определяется выражением
σ=μi+μneni
Где e=1,6⋅10-19Кл - заряд электрона. Так как сопротивление обратно пропорционально проводимости
σ=1ρ    ⇒     1ρ=μi+μneni    ⇒    ni=1ρμi+μne
ni=pi=1620⋅0,13+0,05⋅1,6⋅10-19=5,6⋅10161м3
316865011163300022174202600325Связанные электроны
00Связанные электроны
15316202028825002331720214312500
2)
Концентрация носителей в собственном полупроводнике определяется выражением
ni=NCexp-ΔW2kT
Где k=1,38⋅10-23ДжК - постоянная Больцмана