Определить ширину запрещённой зоны полупроводника, если его проводимость при нагревании от 0 до 30С

Определить ширину запрещённой зоны полупроводника, если его проводимость при нагревании от 0 до 30С (Решение → 35321)

Определить ширину запрещённой зоны полупроводника, если его проводимость при нагревании от 0 до 30С увеличилась в 8,3 раза? Дано: Т1 = 0 ºС = 273 К Т2 = 30 ºС = 303 К γ2/γ1 = 8,3 k = 1,38·10–23 Дж/K __________________________________________ ∆Е – ?



Определить ширину запрещённой зоны полупроводника, если его проводимость при нагревании от 0 до 30С (Решение → 35321)

Зависимость удельной проводимости γ собственных полупроводников определяется экспоненциальным законом: где γ0 – постоянная, характерная для данного полупроводника; k – постоянная Больц-мана. Для температур Т1 и Т2 имеем: и . Отсюда: Размерность: Дж = 1 эВ Ответ: 1 эВ