В результате длительного хранения полупроводниковых диодов на их корпусах была утеряна маркировка, но было

В результате длительного хранения полупроводниковых диодов на их корпусах была утеряна маркировка, но было известно, что это стабилитроны. В результате опыта, схема которого праведна на рис. 2, была построена табл. 7. Постройте ВАХ исследуемого стабилитрона и определите основные характеристики. В результате полученных характеристик и известного типа корпуса прибора, приведенного в табл. 7 и изображенного на рис. 3, с помощью справочника определите марку стабилитрона. Таблица 7 Результаты эксперимента и тип корпуса I, мА 0 0,01 0,05 0,2 0,5 4 12 16 20 50 Тип корпуса № варианта U, в 2 0 0,6 1,5 3 5 5,6 5,6 5,6 5,6 5,8 г -21749383748 PA R + PV VD – Рис. 2. Принципиальная электрическая схема опыта ИП V А 00 PA R + PV VD – Рис. 2. Принципиальная электрическая схема опыта ИП V А -876301878330а б в г Рис. 3. Типы корпусов стабилитронов 00а б в г Рис. 3. Типы корпусов стабилитронов

Построим по имеющимся данным ВАХ стабилитрона (обратная ветвь) (Рис. 1).
Рис. 1 Обратная (рабочая) ветвь ВАХ стабилитрона.
Определяем графически по обратной ветви ВАХ стабилитрона следующие параметры:
напряжение стабилизации Uст, ном ≈ 5,6 В (при токе стабилизации ≥ 4 мА);
минимальный ток стабилизации Iст мин ≤ 3 мА.
По справочнику [1] выбираем стабилитроны КС156Аи КС456А с параметрами:
КС156А: Iст.мин = 3 мА, Uст . ном = 5,6 В;
КС156Г: Iст.мин = 1 мА, Uст. ном = 5,6 В;
КС409А: Iст.мин = 1 мА, Uст. ном = 5,6 В;
КС456А: Iст.мин = 3 мА, Uст

. ном = 5,6 В;
КС156Г: Iст.мин = 1 мА, Uст. ном = 5,6 В;
КС409А: Iст.мин = 1 мА, Uст. ном = 5,6 В;
КС456А: Iст.мин = 3 мА, Uст