Выбрать выпрямительный диод средней мощности с параметрами. Привести условно-графическое обозначение и типовую вольт-амперную характеристику

Выбрать выпрямительный диод средней мощности с параметрами. Привести условно-графическое обозначение и типовую вольт-амперную характеристику выбранного диода, укажите область его применения. Выбрать диод для стабилизации напряжения с параметрами. Привести условно-графическое обозначение и типовую вольт-амперную характеристику выбранного диода, укажите область его применения.

Выбираем выпрямительный диод Д245Б.
Он имеет следующие параметры:
Постоим ВАХ данного диода:
Приведем условно-графическое изображение диода:
Выпрямительные диоды применяются в электрических устройствах переменного тока для получения тока одной полярности.
p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводнико с разными типами проводимости — дырочной и электронной. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других).
В полупроводнике p-типа, который получается посредством акцепторной примеси, концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов

. В полупроводнике n-типа, который получается посредством донорной примеси, концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок. Если между двумя такими полупроводниками установить контакт, то возникнет диффузионный ток — основные носители заряда (электроны и дырки) хаотично перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше, и рекомбинируют друг с другом. Как следствие, вблизи границы между областями практически не будет свободных (подвижных) основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядами[1]. Область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе, получает при этом отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получает положительный заряд, приносимый дырками (точнее, теряет уносимый электронами отрицательный заряд).
Таким образом, на границе полупроводников образуются два слоя с пространственными зарядами противоположного знака, порождающие в переходе электрическое поле