Разработка микроблока питания

 

       ВВЕДЕНИЕ      
 
 

 Для выхода  нашей станы из экономического  кризиса  необходимо 

повышение темпов и  эффективности развития экономики  на базе

уско- 

рения научно-технического прогресса, техническое перевооружение

и 

реконструкция производства , интенсивное использование

созданного 

производственного потенциала,  совершенствование системы

управле- 

ния, хозяйственного  механизма  и достижение на этой основе даль- 

нейшего подъема  благосостояния народа. Исходя из этого 

необходимо 

на основе проведения единой технической политики во всех

отраслях 

народного хозяйства  ускорить техническое  перевооружение  произ- 

водства, широко  внедрять  прогрессивную  технику  и  технологию, 

обеспечивающие повышение  производительности труда и качество

про- 

дукции. Необходимо  обеспечить создание и выпуск новых видов

при- 

боров и радиоэлектронной аппаратуры, основанных на широком 

приме- 

нении микроэлектроники.      

 В настоящее  время этап развития микроэлектроники  и  аппара- 

тостроения на  ее  основе  можно назвать этапом интегральных схем 

(ИС).     

 Интегральные  схемы, являясь основной элементной  базой микро- 

электроники, позволяют  реализовать подавляющее большинство 

функ- 

ций радиоаппаратуры.      

 Микрокомпоненты,  применяемые совместно  с  ИС,  должны 

быть 

совместимыми с  ними по конструкции, технологии и уровню

надежнос- 

ти. В некоторых  случаях оправдано применение гибридных 

интеграль- 

ных схем (ГИС). Это  объясняется следующими обстоятельствами:      

 Технология ГИС  проста и требует меньших, чем полупроводнико- 

вая технология затрат на оборудование и помещения.     

 Технологию ГИС  можно  рассматривать  как  перспективную  по 

сравнению с   существующей  технологией  многослойного 

печатного 

монтажа.     

 Пассивную часть  ГИС изготавливают на отдельной подложке, что 

позволяет достигать  высокого качества пассивных элементов  при 

не- 

обходимости создавать  прецизионные ГИС.     

 Основной проблемой  при создании микроэлектронной 

аппаратуры 

(МЭА) является  выбор конструкции, а также:    

  - обеспечение теплового режима;     

- обеспечение надежности;      

- обеспечение компоновки  и соединений;     

- снижение стоимости  МЭА. 

        
 
 
 
 

 При проектировании  конкретного образца МЭА должны 

учитывать- 

ся:     

- назначение и  область применения  МЭА;     

- заданные электрические  характеристики;     

- условия  эксплуатации,  определяющие  степень  воздействия 

внешней среды;     

- требования  к конструкции (надежность,  ремонтопригодность, 

масса, габариты, тепловые режимы);     

- технико-экономические характеристики (стоимость, техноло- 

гичность изготовления).      

 Основным средством  миниатюризации устройств является их

ин- 

тегральное исполнение.  В силовых устройствах интеграция - это  в 

первую очередь  объединение бескорпусных силовых

полупроводниковых 

приборов в общем  корпусе. Примером такого силового устройства

яв- 

ляется разрабатываемый  силовой  микромодуль вторичного

источника 

питания.     

 Наряду с ГИС  применяются малогабаритные сборки, состоящие из 

силовых транзисторов и диодов.     

 В основу  проектирования силового микромодуля заложены сов- 

ременные тенденции  конструирования ВИП на  базе 

микроэлектронной 

технологии их изготовления. 

.                   

 АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО  ЗАДАНИЯ      
 
 

 Анализируя задание на дипломное проектирование,  видно,  что 

модуль используется как составная часть изделия. Наличие при экс- 

плуатации изделия  влажности до 93%  требует предусмотреть защиту 

радиоэлементов и  печатных плат путем герметизации модуля, а 

также 

пропиткой и заливкой.  Так в частности трансформатор преобразова- 

теля заливается  .  Герметизация  модуля обеспечивается с помощью 

резиновой прокладки  по периметру между крышкой и  корпусом.

Наибо- 

лее сложным  вопросом  является обеспечение нормального

теплового 

режима при эксплуатации в диапазоне температур  - 40-60я5o я0С.      

 Основное влияние  температуры будет сказываться на радиоэле- 

менты и особенно верхний предел температуры +60я5oя0 С. С этой 

целью 

выбор элементной базы произведен исключительно по техническим

ус- 

ловиям и ГОСТам,  что исключает ошибки в выборе элементной 

базы. 

Все выбранные  радиоэлементы  обеспечивают предельные

температуры 

эксплуатации. Такой  режим достигается благодаря  особенности 

конс- 

трукции. Особенность  заключается в том, что большинство

теплонаг- 

руженных элементов  имеют хороший тепловой контакт  на корпус

моду- 

ля. Так,  например,  трансформатор  преобразователя  находится  в 

гнезде корпуса.  Корпус выполнен из материала Д16, обладающим

хо- 

рошей теплопроводностью, а для большего уменьшения теплового

соп- 

ротивления, там где  это необходимо,  применяется 

теплопроводящая 

паста КНТ-8.  Все  это позволяет спроектировать модуль в заданных 

габаритах.     

 Механические  нагрузки на модуль довольно  значительные,  т.к. 

он эксплуатируется  в изделии устанавливаемом на подвижных 

объек- 

тах Однако,  вся конструкция модуля и его элементов отвечают тре- 

бованиям вибро- и  ударной устойчивости, заданной в  ТЗ.     

 Исходя из  вышеизложенного,  можно  утверждать,  что  модуль 

обеспечит заданную надежность P(t)=0,9 при t=5000.  Проведенный

в 

дальнейшем расчет  надежности  должен показать правильность

выб- 

ранной элементной базы и самой конструкции  модуля.  При 

меньшем 

расчетном значении  надежности  потребуется  пересмотр

элементной 

базы вариантов  и способов охлаждения и возможно всей 

конструкции 

модуля.     

 Так, применение   бескорпусных    транзисторов    2Т3642Б-2, 

2Т376Б1-2, 2Т397А-2  и  др.,  а также пленочных резисторов R1-12, 

особое значение  приобретает  полная  и  тщательная  герметизация 

всего корпуса. 

                       
 
 
 
 
 
 

 НАЗНАЧЕНИЕ И  ПРИНЦИП РАБОТЫ      
 
 

 Проблема создания  экономичных,  надежных, малогабаритных

ис- 

точников электрической  энергии для питания современных 

радоэлект- 

ронных устройств  становится все более актуальной.      

 Этой проблемой  заняты специалисты всех стран  мира     

 Большое внимание  уделяется и повышению КПД  вторичных 

источни- 

ков питания, т.к. количество их возрастает вместе с теми устройс- 

твами, где  они используются.  Одновременно растут требования и к 

стабильности питающей напряжения РЭА.     

 Поэтому правильный  выбор схемы блока питания играет

большую 

роль в получении  высокого КПД.     

 С этой  целью была выбрана схема микромодуля питания с широ- 

ко-импульсной модуляцией.      

 Блок питания  обеспечивает стабилизацию выходного

напряжения 

с одновременной  фильтрацией низкочастотных составляющих 

входного 

напряжения.     

 Входное напряжение  может изменяться от 20 до 30 В,  а выход- 

ное напряжение  при  всех  дестабилизирующих  факторах

(изменение 

входного напряжения, температуры окружающей среды, тока

нагрузки) 

изменяется в пределах 25я7+я01,25 В.     

 В основу регулирования  заложен стабилизированный  преобразо- 

ватель с  широтно-импульсной  модуляцией.  Микромодуль

включает в 

себя входной  фильтр,  схему  управления,  промежуточный  каскад, 

трансформаторный  преобразователь, выпрямитель, выходной

сглажива- 

ющий фильтр.  Входной фильтр состоит из конденсаторов 

Ся418я0...Ся424, 

дросселя Др1  и обеспечивает подавление пульсаций рабочей

частоты 

преобразователя, а  также обеспечивает непрохождение  ВЧ 

пульсаций 

бортсети в выходную цепь.     

 Микромодуль состоит  из двух силовых токовых ключей  на  тран- 

зисторах Тя413я0,Тя414я0,Тя417я0...Тя426я0   и   транзисторов 

Тя415я0,Тя416я0,Тя427я0...Тя436, 

трансформатора Тр2.  Резисторы Rя446я0,Rя447я0,Rя448я0,Rя449я0

обеспечивают необ- 

ходимый режим токовых  ключей.     

 Микромодуль осуществляет  необходимую трансформацию 

напряжения 

и при  необходимости может произвести гальваническую развязку

вы- 

ходного напряжения.      

 Выпрямление переменного  прямоугольного  напряжения

осущест- 

вляется диодами VDя412я0...VDя419я0,  включенных по схеме со

средней точ- 

   
 
 

кой вторичной обмотки трансформатора. Диоды VDя420я0,VDя421

я0и конденса- 

тор Ся441я0 позволяют  получить требуемую форму выходного 

выпрямлен- 

ного напряжения в момент переключения диодов выпрямителя.      

 Сглаживающий  выходной фильтр состоит из  двух 

последовательно 

включенных Г-образных LC-фильтров. Первый фильтр состоит из

нако- 

пительного дросселяя4 я0Дря43я0 и конденсаторов 

Ся442я0...Ся451я0,  второй  -  из 

дросселя Дря44 я0и  конденсаторов Ся452я0...Ся457я0.  Первый

фильтр производит 

преобразование широтно-модулированных импульсов в постоянное

нап- 

ряжение. Второй  фильтр является фильтром подавления

радиопомех и 

обеспечивает получение  заданных пульсаций выходного 

напряжения.     

 Схема управления  выполнена по гибридно-пленочной

технологии 

и включает в себя задающий генератор  (ЗГ)  на  инверторах 

Уя41.1я0, 

Уя41.2я0,я4 я0Уя41.3я0 и  элементах Rя49я0,я4  я0Rя410я0,я4

я0Cя46я0; генератор  короткихя4 я0импульсов 

на Уя42.1я0,я4 я0Уя41.4я0,я4 я0Уя42.2я0; генератор пилы на

элементах VTя46я0, Rя416я0, Cя412я0; 

ШИМ-модулятор на  усилителе постоянного тока (УПТ) Уя416я0; 

раздели- 

тель каналов на триггере Уя43.1я0;  два (по числу  каналов) 

выходных 

каскадая4 я0на Уя42.3я0, VTя47я0, VTя48я0, Rя417я0,я4

я0Rя418я0,я4 я0Rя419я0,я4 я0Rя424я0,я4 я0Rя422я0,я4 я0Cя48я0,я4

я0Cя49 я0- пер- 

вый канал;  Уя42.4я0,я4  я0Tя49я0,я4  я0Tя410я0,я4  я0Rя420я0,я4

я0Rя425я0,я4 я0Rя421я0, Rя423я0,я4 я0Rя427я0,я4 я0Cя410я0,я4

я0Cя411я0 - 

второй канал;  узел  защиты  от  короткого  замыкания  в нагрузке 

(Уя43.2я0, Уя47.1я0,я4 я0Уя47.2я0,я4 я0Уя48.1я0,я4 я0Уя48.2я0,я4

я0Rя428я0,я4 я0Rя429я0,я4 я0Rя430я0,я4 я0Rя432я0,я4 я0Rя433я0,я4

я0Rя436я0,я4 я0Rя437я0, 

VDя48я0,я4 я0VDя49я0,я4  я0Cя415я0,я4 я0Cя417я0) и 

вспомогательные цепи питания схемы управле- 

ния.     

 Первый линейный  стабилизатор параметрического типа осущест- 

вляет питание логических элементов Уя41я0,я4 я0Уя42я0,я4

я0Уя43я0.     

 Второй линейный  стабилизатор параметрического  типа 

обеспечи- 

вает питанием +12 В и +6 В УПТ (Уя46я0).     

 Дополнительно  в схему управления входит узел гашения,  обес- 

печивающий сброс  магнитной энергии  промежуточного 

усилительного 

каскада и тем  самым позволяющий получить требуемую  форму 

выходных 

импульсов этого  каскада.     

 Промежуточный  усилительный  каскад выходных сигналов по

току 

схемы управления и  согласование по уровню. Он включает в  себя

ак- 

тивные элементыя4 я0VTя411я0,я4  я0VTя412я0,я4 я0трансформатор

Тр1 с вторичной  обмот- 

кой.     

 Схема работает  следующим  образом:  при повышении выходного 

напряжения на вход УПТ через резистивный делитель Rя450я0,я4

я0Rя434я0,я4 я0Rя435я0 и 

Rя431я0 поступает  повышенное напряжение. Пилообразное 

напряжение, на- 

ложенное на постоянное напряжение делителя,  сравнивается с

опор- 

ным. На выходе УПТ  образуются импульсы,  более узкие чем это

было 

было до этого  момента. В каждом канале суженные импульсы

проходят 

   
 
 

на выход промежуточного каскада, а с него поступают на вход токо- 

вых ключей. Токовые  ключи меньшее время будут  находиться в 

откры- 

том состоянии.  На накопительный фильтр поступают более узкие

им- 

пульсы. Накопительный  фильтр производит сглаживание  по 

среднему 

значению, поэтому  выходное  напряжение  начинает  уменьшаться 

и 

стремится к своему нормальному значению. 

.                 

 Обоснование и выбор конструкции                     

 микроблока питания  РЭА      
 
 

 Микроблок является  принципиально новым видом 

конструктивного 

исполнения микроэлектронной аппаратуры  повышенной 

надежности  и 

высокого уровня  интеграции,  перспективным  направлением в

конс- 

труировании РЭА  различного назначения,  являющимся 

дальнейшим  и 

более гибким развитием  методов гибридной микроэлектроники.      

 Анализ радиоаппаратуры  показал,  что вторичные источники пи- 

тания в  большинстве  случаев  создаются  на дискретных корпусных 

элементах, в то время  как остальная аппаратурная  часть  строится 

на интегральной элементной базе.     

 Результатом такого  подхода явилось то,  что  объем  и  масса 

вторичных источников  питания  составляет до 40-50% 

аппаратурной 

части РЭА.     

 Во многих случаях  эти проблемы вызваны несовершенством 

конс- 

трукции вторичных  источников питания и устройств, отводящих от

них 

тепло. Эти  причины  сдерживают  внедрение  интегральных

методов 

проектирования силовых  устройств и дальнейшее уменьшение их 

масс 

и габаритов.  Общеизвестно, что объемные конструкции блоков

пита- 

ния обладают значительным температурным сопротивлением от их 

ис- 

точника до  его стока.  Кроме того корпусные активные и пассивные 

элементы схемы также обладают  большим  тепловым 

сопротивлением, 

что в  свою  очередь  требует  дополнительного  увеличения объема 

конструкции и охлаждающей  поверхности.     

 Тепловой поток  от источника тепла до его стока определяется 

из выражения:                             

tя41я0 - tя42                         

Q = ДДДДя4ДДДя0 ,                             

  я7Sя0 Rя4т   

 где Q  - тепловой поток;       

tя41я0 - допустимая  рабочая температура элементов схемы по

ТУ;       

tя42я0 - температура  окружающей среды;      

 я7Sя0 Rя4тя0-  суммарное  тепловое сопротивление от

источника тепла             

 до его стока.                        
 
 

Rя4тя0 = Rя4iтя0 + Rя4тся0 + Rя4тт 

.     
 
 

 Тепловое сопротивление  конструкции определяется из 

выражения:                                

l                          

Rя4тя0 = ДДДД ,                               

 я7lя0 S      
 
 

 где l - расстояние  от источника тепла до его  стока;         

 я7lя0 - теплопроводность;          

S - окружающая поверхность;       
 
 

 Из выражения видно,  что конструкция силового модуля должна 

обладать:     

 кратчайшим расстоянием  от источника тепла до его  стока 

(l должно быть  минимальным);     

 максимальной  площадью  окружающей поверхности (S должно

быть 

максимальным);     

 материал теплоотвода  должен обладать максимальной теплопро- 

водностью (я7lя0 должно быть максимальным).     

 Наиболее полно  этим  требованиям отвечает конструкция изде- 

лия, которая обладает:      

- максимальной площадью  поверхности при одновременном 

умень- 

шении ее объема;     

- применением  активных элементов с малым тепловым

сопротив- 

лением, т.е. необходимо применить бескорпусные элементы;     

- применением  конструкции  малокорпусных  или  бескорпусных 

пассивных элементов (трансформаторы, дроссели);     

- применением алюминия,  меди, окиси бериллия, керамики 22ХС 

и им подобных материалов.      

 Кроме того,  такие конструкции обладают минимальной материа- 

лоемкостью, максимальной простотой монтажа,  улучшенными

электри- 

ческими параметрами. 

.                       
 
 

 КОНСТРУКТОРСКАЯ  ЧАСТЬ                    
 
 

 ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ  МИКРОМОДУЛЯ      
 
 

 Конструкторско-технологическая  проблема миниатюризации 

сило- 

вых устройств  заключается  в необходимости создавать и применять 

специальные бескорпусные полупроводниковые приборы  и 

микросхемы, 

специальные намоточные  детали  и  особые методы

конструирования, 

обеспечивающие плотную  упаковку элементов и низкое внутренне 

те- 

пловое сопротивление  конструкции.     

 На дюралюминиевой  подложке  МСБ (lя43я0=4 мм,  190х130;я7 

я7lя0= 170 Вт/м град) расположены дроссели диаметром 36 мм,

мощностью 

2,8 Вт;  диоды диаметром 14 мм и мощностью 1,6 Вт каждый;  транс- 

форматор диаметром 55 мм, мощностью 1,85 Вт; 10 транзисторов

диа- 

метром 10  мм;  мощностью  по 0,83 Вт каждый,  крепятся на медной 

пластине размером 55х67х2,7 мм.     

 Применение бескорпусных  приборов позволяет  уменьшить 

объем 

Разработка микроблока питания