3. В р-n переходе, изготовленном на основе Ge, концентрация доноров Nд=1015 см-3 , концентрация акцепторов NA=1015 cм-3 (Решение → 17194)

Заказ №39119

3. В р-n переходе, изготовленном на основе Ge, концентрация доноров Nд=1015 см-3 , концентрация акцепторов NA=1015 cм-3 . Найти ширину p-n перехода при 300К, если приложено прямое напряжение U=1 В, а nn/np=104 , ε=16. Дано: Nд=1015 см-3=1021 м -3 NA=1015 cм-3=1021 м -3 Т=300 К Uпр=1 В nn/np=104 , ε=16. Найти: 

Решение: Важным параметром p-n перехода является его ширина, обозначаемая  = p + n, где p и n - ширина слоев объемных зарядов в p- и n-областях соответственно. Ширина р-n перехода при прямом включении диода 0 2 ( ) ( ) А Д К np А Д N N U U q

3. В р-n переходе, изготовленном на основе Ge, концентрация доноров Nд=1015 см-3 , концентрация акцепторов NA=1015 cм-3