Заказ: 1047317

Контрольная работа по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров"Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несущий слой. Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие: - удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe =400 Ом*мкм2; - ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм]; -контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов); -координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм; -напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B; -допуск квадрата слоя R□, dR□ = 0,07; -погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм; -глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм. Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным.

Контрольная работа по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров"Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несущий слой. Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие: - удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe =400 Ом*мкм2; - ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм]; -контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов); -координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм; -напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B; -допуск квадрата слоя R□, dR□ = 0,07; -погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм; -глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм. Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным.
Описание

Подробное решение в WORD - 3 страницы





Контрольная работа по дисциплине Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоровВыполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несущий слой. Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие: - удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe =400 Ом*мкм2; - ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм]; -контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов); -координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм; -напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B; -допуск квадрата слоя R□, dR□ = 0,07; -погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм; -глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм. Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным. (Решение → 32293)

Контрольная работа по дисциплине Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоровВыполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несущий слой. Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие: - удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe =400 Ом*мкм2; - ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм]; -контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов); -координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм; -напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B; -допуск квадрата слоя R□, dR□ = 0,07; -погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм; -глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм. Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным. (Решение → 32293)

Предварительный просмотр

Контрольная работа по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров"Выполнить проектирование и представить эскиз конструкции резистора полупроводниковых ИС с простановкой размеров и значений ёмкости резистора на несущий слой. Значения параметров не вошедшие в таблицу, принимаются следующие: - удельные переходные сопротивления контактов, Rob = Rok = Roe =400 Ом*мкм2; - ширины ОПЗ при отсутствии смещения - Wоeb=0.1, Wocb=0.2, Wocr=0.3, Wocp=0.3 [мкм]; -контактная разность для ОПЗ, Fk=0.7 B (для всех p-n переходов); -координата МГП ОПЗ для структур ЭПСK1 — 1, 2, 6, 8 мкм; ЭПСK2 — 1, 3, 7, 8,5 мкм; ЭПСБ1 — 1, 2, 6, 4 мкм; ЭПСБ2 — 1, 3, 7, 5 мкм; -напряжения на переходах Ub = 4 B; Uc =Ue =5 B; Up=Ur= 0 B; -допуск квадрата слоя R□, dR□ = 0,07; -погрешность линии, dB = 0,2 мкм; совмещения слоёв, dC = 0.3 мкм; -глубина зкранирования поля, dP = 0,1 мкм. Обозначения слоёв: В-базовый, С- коллекторный, Е- эмиттерный, ВР-базовый под эмиттерным.