Исходные данные: сопротивление R1 =10 кОм, сопротивление R2 =20 кОм, сопротивление R3 =2 кОм, коэффициент передачи тока β=50, напряжение

Исходные данные: сопротивление R1 =10 кОм, сопротивление R2 =20 кОм, сопротивление R3 =2 кОм, коэффициент передачи тока β=50, напряжение источника Ек=+15 В, напряжение источника Е=+15 В, напряжение порога Unop=+0,6 В, обратный ток IК0=2 мкА. Рассчитать: при каких напряжениях Uвх транзистор в схеме, приведенной на рисунке 2 будет находится: а) в режиме насыщения; б) в режиме отсечки; в) в активном режиме. Рис. 5.1

По исходным данным таблицы определим тип транзистора n-p-n, т.к. на коллектор подается положительное напряжение Ек =+15 В относительно заземленного эмиттера, и материал изготовления транзистора – германий, т.к. Unop = 0,6 В.
1) Для режима насыщения необходимо на вход ключа подать такое напряжение UВХ, при котором будет протекать ток: IБ≥IБН=ЕКβ∙R3 .
Условие насыщения транзистора:
IБ≥ЕКβ∙R3,
для рассматриваемой схемы можно записать в виде:
,
откуда получим:
[В].
2) Для режима отсечки необходимо обеспечить напряжение на базе:
,
где UПОР – пороговое напряжение транзистора (для германиевых транзисторов , для кремниевых ).
Условие отсечки для n-p-n транзисторов:
.
Условие отсечки для p-n-p транзисторов:
.
Условие отсечки транзистора перепишем в виде:
,
откуда следует:
[В].
3) Условие активного режима:
[В].
Ответ: транзистор работает в режиме насыщения при В; в режиме отсечки при В; в активном режиме при В.