Резистор (R): МЛТ -0,5, n1 = 146 шт., конденсатор: (С) бумажный n2 = 176

Резистор (R): МЛТ -0,5, n1 = 146 шт., конденсатор: (С) бумажный n2 = 176 шт., диод (D): выпрямительный n3 = 116 шт., транзистор (Т): мощный низкочастотный n4 = 86 шт., силовой трансформатор (СТ): n5 = 32 шт., дроссель (Д): n6 = 27 шт., t = 240 час.

Согласно таблиц приложения находим номинальные интенсивности элементов, входящих в систему, считая, что температура элементов равна +20ºС, принята для того, чтобы не вводить поправочные коэффициенты на температуру.
для: МЛТ -0,5 - λ1 = 0,5·10-6, 1/час, для бумажного конденсатора λ2 = 1,8·10-6, 1/час,
для диода (выпрямительный, точечный, германиевый) λ3 = 0,7·10-6, 1/час, для транзистора, мощного низкочастотного λ4 = 4,6·10-6, 1/час, для силового трансформатора λ5 = 3,0·10-6, 1/час, для дросселя λ6 = 1,0·10-6, 1/час.
Среднюю интенсивность отказа системы определим по формуле:
λср.с = Σni·λi = (146·0,5 + 176·1,8 + 116·0,7 + 86·4,6 + 32·3,0 + 27·1,0)·10-6 ≈
≈ 9,9·10-4, 1/час.
Cредняя наработка на отказ равна: Тср = 1/λср.с = 1/9,9·10-4 = 1010, час.
Вероятность отказа системы за заданный промежуток времени определяем по формуле:
Pc(t) = exp(-t/Тср) = exp(- 240/1010) = 0,788 ≈ 0,79.
Ответ: Р(t) = 0,79, Тср = 1010 час (контрольный ответ: Р(t) = 0,72, Тср = 740 час).
Примечание