Для конденсаторной структуры (рис.1) рассчитать: а) Ёмкость конденсаторной структуры; б) Величину заряда конденсатора; в) Напряженность электрического поля

Для конденсаторной структуры (рис.1) рассчитать: а) Ёмкость конденсаторной структуры; б) Величину заряда конденсатора; в) Напряженность электрического поля в диэлектрике(Ед) г) Величину вектора поляризации диэлектрика p [Кл/м2] д) Величину вектора электрической индукции (электрического смещения) D = Р + Ɛ0 Ед [Кл/м2] Р= Ɛ0 (Ɛд -1) Ед е) Поверхностную плотность заряда σ [Кл/м2], считая, что диэлектрик находиться в однородном электрическом поле Дано: К структуре приложено постоянное напряжение U= 100 В = 4+(N/10) =4,6 = 2 мм ; b= 2 мм ; = 2 мм ; S= 0,226 . Рис 1. Конденсаторная структура с диэлектриком, расположенном в воздушном зазоре между обкладками конденсатора. На гранях пластины диэлектрика возникают поляризационные заряды.

А) Ёмкость конденсаторной структуры. Эл.поле внутри конденсаторе в отсутствие д/э: Эл.поле внутри д/э: Напряжение между обкладкам: Ёмкость конденсатора б) Величину заряда конденсатора; в) Напряженность электрического поля в диэлектрике (Еd) г) Величину вектора поляризации диэлектрика p [Кл/м2] д) Величину вектора электрической индукции (электрического смещения) е) Поверхностную плотность заряда σ [Кл/м2], считая, что диэлектрик находиться в однородном электрическом поле