Блокинг-генераторы и их схемотехника
ВВЕДЕНИЕ
Развитие всей современной
Колебания, вырабатываемые
1. Небольшой
длительностью рабочих
2. Практически
прямоугольной формой
3. Высокой
скважностью генерации. Обычно
применяется скважность, лежащая
в пределах от сотен до
4. Большой
мощностью рабочего импульса, достигаемой
за счет применения высокой
скважности. Токи в импульсе могут
достигать значений, в сотни раз
превосходящих предельные
Следует добавить также, что
блокинг-генератор является
Перечисленными свойствами
Внедрение в радиоэлектронику полупроводников обусловило возможность построения блокинг-генераторов на транзисторах. Такие устройства созданы и надежно работают.
Несмотря на простоту схемы блокинг-генератора,
физические процессы в нем достаточно
сложны. Это объясняется тем, что, во-первых,
процессы существенно нелинейны, т. е.
в общем не подчиняются закону Ома, во-вторых,
приходится учитывать по меньшей мере
два накопителя энергии: конденсатор и
трансформатор обратной связи.
ОДНОТАКТНЫЙ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР
Существует несколько вариантов включения времязадающего конденсатора (рис.1...3).
БГ может работать в следующих режимах:
- автогенераторном (благодаря Напряжению смещения);
- ждущем;
- синхронизации.
Благодаря гальванической развязке от нагрузки с помощью трансформатора выходные импульсы могут иметь любую полярность, частоту повторения - от нескольких единиц до сотен тысяч импульсов в секунду с большой скважностью и высокой крутизной фронтов (до десятых долей микросекунды).
При работе блокинг-генератора в автоколебательном режиме на базу транзистора VT подают небольшое открывающее транзистор смещение; в ждущем режиме — запирающее смещение (последовательно с резистором R).
При работе в режиме синхронизации частота подаваемых в базу транзистора импульсов должна быть выше, чем частота в режиме автоколебаний.
Работает блокинг-генератор (рис.1) следующим образом. После подачи напряжения питания благодаря Ucm транзистор VT приоткрывается и обеспечивает прохождение тока через первичную обмотку импульсного трансформатора Т. Это приводит к тому, что сигнал ПОС благодаря наведенной в базовой обмотке ЭДС через конденсатор С поступает на базу транзистора и лавинообразно открывает его, в результате чего напряжение эмиттер-коллектор падает практически до нуля. При этом конденсатор быстро заряжается через базо-эмиттерный переход транзистора. Вследствие быстрого включения на вторичной обмотке трансформатора формируется импульс, крутизна которого ограничивается только индуктивностью рассеяния трансформатора (рис.4).
Начальный ток насыщения транзистора
где
rб' = rб/kб2— приведенное (к коллекторной нагрузке) сопротивление базы;
Rн' = Rн /k2 — приведенное сопротивление нагрузки;
kб = nб /n1 — коэффициент трансформации для обмотки ОС (базовой);
k = n2 /n1— коэффициент трансформации;
n1 —
число витков первичной
n2 —
число витков вторичной
nб — число витков обмотки ОС.
Амплитудное значение тока коллектора:
где L1 —
индуктивность первичной
На следующем этапе происходит дозаряд конденсатора и рассасывание накопленных в базе неосновных носителей. При этом напряжение Uкэ остается близким к нулю, т.о. формируется вершина импульса. Коллекторный ток во время формирования вершины не должен превышать допустимого значения в импульсном режиме Iкдоп. Отсюда индуктивность коллекторной обмотки
где tи — длительность импульса (время накопления).
С другой стороны, чрезмерное увеличение индуктивности первичной обмотки приводит к возрастанию температурной нестабильности tи и нестабильности, вызываемой изменением нагрузки.
С насыщением транзистора последний утрачивает усилительные свойства, рост тока в коллекторной цепи прекращается, в базовой обмотке уже не индуцируется ЭДС и ПОС в схеме уменьшается.
К некоторому моменту времени конденсатор заряжается до максимального значения Ucm (рис.4), ток базы, а соответственно и ток коллектора, прекращаются.
После рассасывания неосновных носителей транзистор выходит из насыщения и лавинообразно закрывается за счет противо-ЭДС, прикладываемой к базе транзистора. Коллекторный ток падает до нуля, напряжение на коллекторе начинает расти до Е и далее — до 2Е за счет ЭДС самоиндукции в трансформаторе, складывающейся с напряжением источника питания Е.
Напряжение, прикладываемое к базе транзистора
Оно не должно превышать допустимое Uэб max. Поэтому в цепь базы иногда включают защитный диод VD (рис.2), либо коллекторную обмотку трансформатора шунтируют диодом (VD1), иногда с последовательно включенным резистором (R3) как на рис.5.
С момента полного запирания транзистора начинается разряд конденсатора С через резистор R, источник смещения и обмотку ОС. По мере разряда конденсатора напряжение на базе повышается, достигает напряжения отпирания транзистора и процесс повторяется.
Во избежание колебательного характера переходного процесса, что может привести к преждевременному открыванию транзистора, должно выполняться условие
где Со = kб Сэ + (1 + kб)Ск,
Сэ и Ск — емкости коллекторного и эмиттерного переходов соответственно.
Уменьшению паразитных колебаний способствует также демпфирующая цепочка в цепи базы, состоящая из последовательно включенных диода и резистора. По окончании выброса схема возвращается в исходное состояние и процесс повторяется.
Длительность выходных импульсов tи зависит от скорости заряда конденсатора С, которая определяется постоянной времени цепи заряда τз = rбС и может быть определена из достаточно сложного трансцендентного выражения, приведенного в [7]. При этом длительность импульсов находится в прямой зависимости от индуктивности L и емкости С, т.е., изменяя емкость конденсатора, можно регулировать длительность импульсов, снимаемых с нагрузки.
Длительность паузы tп, а следовательно и период повторения импульсов Т определяются временем разряда конденсатора С через резистор R при закрытом транзисторе, т.е. постоянной времени τp = RС .
Длительность паузы в идеализированной схеме:
Ucm — напряжение смещения.
При R>50 кОм необходимо учитывать сопротивления утечек запертых переходов транзисторов (которые имеют большой разброс), включенных параллельно R.
На практике резистор R часто подключают к шине источника питания Е, в этом случае Ucm = E.
В принципе, блокинг-генератор сохраняет работоспособность при наличии только одной реактивности: С или L. Случай отсутствия С, что эквивалентно С = ∞, когда исчезает понятие независимой паузы, используется в преобразователях постоянного напряжения.
Осциллограммы токов и напряжений в характерных точках схемы приведены на рис.4.
Схемы без резистора в цепи базы имеют следующие недостатки:
- длительность импульса tи оказывается нестабильной из-за разброса параметров транзисторов;
- длительность импульса заметно изменяется с изменением питающего напряжения (связано с изменением глубины модуляции rб с изменением напряжения питания).
Введение резистора R в цепь базы с сопротивлением в 2...3 раза больше rб уменьшает влияние последнего на длительность импульса.
Одновибратор (рис.5) может быть применен для формирования управляющих импульсов в тиристорных коммутаторах или регуляторах мощности. Длительность импульса:
Для нормальной работы одновибратора необходимо выполнение условия:
где Т — период запускающих импульсов.
Для исключения влияния цепей запуска на работу одновибратора на его входе включают разделительный диод VD1 (рис.6), который запирается после открывания транзистора. Недостаток этой схемы — низкая помехоустойчивость.
ДВУХТАКТНЫЙ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР
Двухтактный блокинг-генератор может применяться:
- для формирования низкого (2...3 В) напряжения, необходимого для управления мощными транзисторами;
- для формирования постоянных напряжений для питания устройств управления (мощностью 2...5 Вт), гальванически развязанных от питающего напряжения;
- в качестве мощного ПН.
На рис.7 показана схема простого преобразователя на генераторе Ройера, работающего от первичного источника постоянного напряжения 12 В и обеспечивающего два уровня постоянного выходного напряжения — 650 и 325 В.
Такие напряжения необходимы для работы различных радиоприемных устройств на лампах. С целью уменьшения габаритов трансформатора частота переключений выбрана около 1000 Гц. Транзисторы должны быть рассчитаны на постоянный ток не менее 20 А.
Поскольку генератор Ройера чаще всего является генератором с насыщающимся трансформатором, который одновременно выполняет функцию времязадающего элемента, частоту автоколебаний определяют по формуле
где Uвх = Е — напряжение, приложенное к первичной обмотке;
n1 — число витков коллекторной обмотки.
Задавшись частотой преобразования и выбрав магнитопровод подходящего типоразмера, из формулы [3] определяют число витков коллекторной обмотки.
Наиболее предпочтительное значение частоты переключения биполярных транзисторов с учетом элементной базы в настоящее время составляет примерно 30...50 кГц.
Двухтактные преобразователи широко применяются в качестве ИВЭП при небольшой (до 50 Вт) мощности в нагрузке.
Их основные достоинства:
- простота схемы;
- отсутствие
подмагничивания
- симметричная
форма выходного
- защищенность от короткого замыкания (при КЗ срывается генерация).
Недостатки:
- удвоенное
значение преобразуемого
- увеличение
тока коллектора в конце
- насыщение
магнитопровода трансформатора
в конце полупериода, что
Указанные недостатки затрудняют использование двухтактных преобразователей с самовозбуждением при мощности более 50 Вт.
На практике стараются избегать насыщения сердечника, выбирая достаточно большое его сечение и задаваясь достаточно малым значением Вm. При этом период колебаний рассчитывают по формуле
Из формулы (10) видно, что частота обратнопропорциональна индуктивности коллекторной обмотки и не зависит от напряжения питания Е. Частота увеличивается с током нагрузки, т.е. с уменьшением Rн.
Необходимо выполнение условий:
Обычно стараются выполнять условие R'н < r'6, с тем чтобы мощность в основном рассеивалась в нагрузке и КПД за счет этого был достаточно высок.
Для большинства транзисторов коэффициент трансформации базовой обмотки ограничен допустимым обратным напряжением эмиттерного перехода.
Сопротивление R6 определяют из условия насыщения транзистора
где U6 - напряжение базовой обмотки;
U6э - напряжение на базоэмиттерном переходе насыщенного транзистора;
kнас - коэффициент насыщения (избыточности тока базы).
При увеличении коэффициента насыщения уменьшается величина остаточного напряжения, но вырастают потери в цепи базы транзистора. При относительно малых мощностях нагрузки выбирают kнас в пределах 1,2...2, при больших — 2...3, при этом суммарная мощность, рассеиваемая в цепях коллектора и базы транзистора, становится минимальной.
Мощный преобразователь с включением транзисторов по схеме ОК показан на рис.8.
Наводимое во вторичной обмотке трансформатора переменное напряжение прямоугольной формы может быть выпрямлено и использовано для получения постоянного выходного напряжения. Мощность преобразователя зависит от примененных транзисторов и габаритной мощности трансформатора. Достоинство такого решения в том, что транзисторы можно устанавливать на общем радиаторе. Простейшая схема преобразователя вызывает значительное недоиспользование транзисторов по току коллектора (из-за эффекта модуляции толщины "активной" области базы при закрывании транзистора), т.к. номинальный ток коллектора не может быть больше
где Iкmд — максимально допустимый импульсный ток коллектора.
С целью уменьшения потерь в цепях смещения пусковая цепочка может быть управляемой, при этом импульсы тока смещения могут подаваться в базу одного из транзисторов, например как показано на рис.9.
Фиксация амплитуды тока коллектора на заданном уровне Iкm < (1,2...1,5)Iн позволяет:
- максимально использовать транзисторы по току;
- повысить
КПД за счет уменьшения
- уменьшить импульсные помехи;
- получить строго симметричные по полупериодам импульсы напряжения и тока.
Вариант фиксации тока коллектора с помощью "самозащищенного" транзистора показ на рис.10. Закрывание силовых транзисторов осуществляется шунтирующими транзисторами при фиксированном значении Iкm, а протекание насыщающего базового тока происходит по контуру: базовая обмотка Т1 — эмиттерный переход открытого силового транзистора VT3 (VT4) — датчик тока R3 (R4) — шунтирующий транзистор VT1 (VT2) в инверсном включении — базовый резистор R2. Такое решение вполне пригодно для двухтактных преобразователей мощностью до 5 Вт, а также для одно-тактных.
При значительно больших мощностях с применением таких транзисторов как КТ908, КТ819, КТ826 и т.п. время рассасывания, а соответственно и длительность интервала неконтролируемого увеличения тока увеличиваются до 1...3 мкс, в результате чего на частотах около 20 кГц магнитопровод трансформатора к моменту выхода транзистора в активную область оказывается в режиме глубокого насыщения, и амплитуда тока коллектора Iкm может постигать (5...8)Iном.
Для исключения заметного роста тока намагничивания к началу коммутационных процессов в качестве времязадающего элемента используют не трансформатор преобразователя, а внешние цепи. При этом материал магнитопровода перемагничивается не по предельной петле гистерезиса, а по частному циклу с Bm < Bs.
Мощный преобразователь напряжения, в котором выходной двухтактный инвертор управляется от двухтактного блокинг-генератора (рис.11) предназначен для питания различной радиоаппаратуры напряжением 220 В, 50 Гц мощностью до 100 Вт. В качестве трансформатора Т1 использован стандартный трансформатор ТАН-107-220-400, в качестве выходного Т2 — самодельный трансформатор на ШЛ25х40.
Первичная обмотка Т2 содержит 55+55 витков провода ПЭВ-2 1,2; вторичная — 900+100+100 витков провода ПЭВ-2 0,3. КПД преобразователя достаточно высок — около 0,8. Подобные преобразователи при соответствующих элементной базе и частоте преобразования могут использоваться при выходной мощности до 1 кВт.
ВЫВОД
Достоинствами блокинг-генераторов являются сравнительная простота, возможность подключения нагрузки через трансформатор, присущая этим схемам способность формировать мощные импульсы, близкие по форме к прямоугольным. Эти и ряд других свойств схем обусловили их широкое применение в устройствах автоматики, регулирования и промышленной электроники.
Среди многообразия случаев использования блокинг-генераторов можно .выделить четыре главные: в качестве формирователей импульсов, как сравнивающие устройства — компараторы, как импульсные автогенераторные схемы и как делители частоты.
При использовании в качестве формирователей импульсов блокинг-генераторы работают в ждущем режиме. Важнейшими их характеристиками являются: чувствительность к запуску, длительность формируемых импульсов и ее стабильность, предельно достигаемая частота срабатываний.
При использовании в качестве компаратора от блокинг-генератора прежде всего требуется высокая чувствительность к запуску, так как только при этом условии можно добиться, чтобы минимальная разность между сравниваемыми сигналами вызывала срабатывание устройства.
Важнейшим показателем блокинг-генератора,
работающего в автоколебательном режиме,
является частота генерируемых импульсов
и ее стабильность, а работающего в режиме
деления частоты — стабильность коэффициента
пересчета, т. е. отношения частоты повторения
входных импульсов к частоте повторения
выходных.
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Регельсон Л.М. - Блокинг-генератор (1961)
2. Петров А. - Блокинг-генератор и его применение (1996)
3. Глебов Б.А. Блокинг-генераторы на транзистора. (1972)
4. http://bse.sci-lib.com/
5. http://naf-st.ru/articles/

- Блоки питания персональных компьютеров
- Блокировки и сигнализации
- Блок створення, сприйняття та використання нового у педагогіці
- Блок-схема процесса как инструмент анализа
- Блочный алгоритм MARS
- Блюда и гарниров из жареных овощей
- Блюда из овощей
- Близнецовые исследования
- Близнецовый метод в психогенетике
- Близнецовый метод психогенетического исследования
- Близорукость. Причины. Клиническая картина. Лечение
- Блог - маркетинг и его приемущества
- Блогосфера
- Блокада Ленинграда