Контрольная работа по "Химии радиоматериалов"

Федеральное агентство связи

 

Сибирский Государственный Университет  Телекоммуникаций и Информатики

 

Межрегиональный центр  переподготовки специалистов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контрольная работа

По дисциплине: Химия радоиматериалов

                                  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выполнил: Канаев А.А

Группа: СБТ- 24

Варианты: 8 и 1     

                                                                   Проверила: Фадеева Н.Е

 

 

 

 

 

 

 

 

Новосибирск, 2012 г

1. Основные  вопросы курса.

1.1 Общие вопросы.

1.Основные требования, предъявляемые к электрорадиоматериалам.

2.Классификация радиоматериалов  по физико-химическим свойствам.

3.Экологические аспекты  технологии формирования материалов (диэлектриков, полупроводников, проводников,  магнитных материалов).

1.2 Проводниковые материалы.

1.Физико-химические свойства проводниковых материалов.

2.Параметры и характеристики  проводимости проводниковых материалов.

3.Материалы с высокой  удельной проводимостью. Сверхпроводники.  Криопроводники. Характеристики. Области  применения в электронике.

4.Металлы с большим удельным сопротивлением. Характеристики. Область применения.

5.Неметаллические проводники. Характеристики проводимости неметаллических  проводников.

1.3 Полупроводниковые материалы.

1.Физико-химические свойства  полупроводниковых материалов.

2.Области применения полупроводниковых материалов в электронике.

3.Собственные полупроводники.

4.Донорные полупроводники.

5.Акцепторные полупроводники.

6.Электропроводность  в полупроводниках.

7.Токи в полупроводниках.

8.Влияние температуры  на электропроводность полупроводников.

9.Влияние света на  электропроводность полупроводников.

10.Влияние деформации  на электропроводность полупроводников.

11.Влияние сильных  электрических полей на электропроводность  полупроводников.

12.Структура и проводимость  германия.

13.Структура и проводимость кремния.

14.Полупроводниковые  соединения типа А^IIB^VI. Характеристики. Области применения в электронике.

15.Полупроводниковые  соединения типа А^IIIB^V. Характеристики. Области применения в электронике.

16.Твердые растворы  на основе полупроводниковых соединений. Характеристики. Области применения в электронике.

1.4 Диэлектрические материалы.

1.Назначение диэлектрических  материалов. Основные характеристики.

2.Виды поляризации  диэлектриков.

3.Электропроводность  диэлектриков.

4.Диэлектрические потери электроизоляционных материалов. Виды диэлектрических потерь.

5.Пробой диэлектриков. Виды пробоя.

6.Пассивные диэлектрики.  Классификация. Область применения  в электронике.

7.Активные диэлектрики.  Классификация. Область применения  в электронике.

8.Органические материалы.  Физико-химические свойства органических  материалов.

9.Области применения  органических материалов в электронике.

1.5 Магнитные материалы.

1.Классификация веществ  по магнитным свойствам.

2.Магнитные характеристики  материалов. Модели намагничивания материалов.

3.Металлические магнитномягкие  материалы. Характеристики. Области  применения в электронике.

4.Металлические магнитотвердые  материалы. Характеристики. Области  применения в электронике.

5.Ферриты. Характеристики. Области применения в электронике.

6.Магнитодиэлектрики. Характеристики. Области применения в электронике

 

 

 

1.1 Общие вопросы.

1. Радиоматериалами называют такие материалы, которые имеют специфическое назначение в электрорадиоаппаратуре при воздействии электромагнитного поля, отличаются хорошими электрическими и магнитными свойствами.

2. Физико-химические свойства радиоматериалов делятся на функциональные и технологические [1]. Функциональными называют свойства, определяющие пригодность материала для создания изделий высокого качества. В зависимости от принципы действия радиоэлектронной аппаратуры и ее назначения функциональные свойства делятся на электрические, механические, теплофизические, оптические, химические и магнитные. 
Свойства, характеризующие поведение материала при обработке, называются технологическими. В зависимости от методов обработки (механическая, термическая, химическая, электрохимическая и т.п.) большое значение приобретают такие свойства, как твердость, пластичность, стойкость в химически агрессивных средах, пределы растворимости легирующих примесей и др.

3. Полупроводниковые материалы. Важнейшая роль полупроводников в радиоэлектронике обусловлена прежде всего тем, что они служат основой активных полупроводниковых приборов, способных усиливать мощность или преобразовывать один вид энергии в другой.

Проводниковые материалы - материалы, основным электрическим свойством которых является сильно выраженная электропроводность. Их применение обусловлено в основном этим свойством. Проводниками электрического тока могут быть твердые тела, жидкости, а при соответствующих условиях и газы.

Магнитные материалы. Разделение радио- и электротехнических материалов на проводники, полупроводники, диэлектрики было произведено по их способности проводить электрический ток. Однако это свойство материалов не является единственным. В соответствии с магнитными характеристиками различают диамагнитные, парамагнитные и сильномагнитные вещества (в технике их чаще называют магнитными материалами или просто магнетиками).

Диэлектрические материалы  - материалы, основным электрическим свойством которых является способность к поляризации. В радиотехнике применяют множество различных диэлектриков. По функциям, выполняемым в аппаратуре и приборах, их можно подразделить на электроизоляционные и конденсаторные материалы (пассивные диэлектрики) и управляемые материалы (активные диэлектрики) (рис. 2.3).

 

1.2 Проводниковые материалы.

1. К физико-химическим свойствам относят цвет, плотность, температуру плавления, теплопроводность, тепловое расширение, электропроводность, магнитные свойства, поглощение газов, коррозионную стойкость и др.

Физико-химические свойства оценивают удельным электрическим  сопротивлением , удельной электрической проводимостью , температурным коэффициентом удельного электрического сопротивления и коэффициентом теплопроводности.

2. К важнейшим параметрам, характеризующим свойства проводниковых материалов, относятся: 
-удельная проводимость g или обратная ей величина – удельное сопротивление r, 
-температурный коэффициент удельного сопротивления ТКr или a_r, 
-теплопроводность g _т, 
-контактная разность потенциалов и термо-э.д.с., 
-работа выхода электронов из металла, 
-предел прочности при растяжении s_r и относительное удлинение при разрыве Dl/l.

3. К наиболее широкораспрстраненным материалам высокой проводимости следует отнести медь и алюминий. В качестве проводникового материала чаще всего используется медь марок М1 и М0. Медь марки М1 содержит 99.9% Cu, а в общем количестве примесей (0.1%) кислорода должно быть не более 0,08%. Присутствие в меди кислорода ухудшает ее механические свойства. Лучшими механическими свойствами обладает медь марки М0, в которой содержится не более 0.05% примесей, в том числе не свыше 0.02% кислорода. Для электротехнических целей используют алюминий, содержащий не более 0.5% примесей, марки А1. Еще более чистый алюминий марки АВ00 (не более 0.03% примесей) применяют для изготовления алюминиевой фольги, электродов и корпусов электролитических конденсаторов. Алюминий наивысшей чистоты АВ0000 имеет содержание примесей не более 0ю004%. Добавки Ni, Si, Zn или Fe при содержании их 0.5% снижают γ отожженного алюминия не более, чем на 2-3%. Более заметное действие оказывают примеси Cu, Ag и Mg, при том же массовом содержании снижающие γ алюминия на 5-10%. Очень сильно снижают электропроводность алюминия Ti и Mn.

Исчезновение электрического сопротивления, т.е. появление практически бесконечной  электрической проводимости материала, называется сверхпроводимостью, а температура, при охлаждении до которой совершается переход вещества в сверхпроводящее состояние – температурой сверхпроводникового перехода Т_с.  Помимо сверхпроводящих электромагнитов можно отметить возможности использования сверхпроводников для создания электрических машин, трансформаторов и тому подобных устройств малой массы и габаритов, но с высокими к.п.д.; линий электропередачи весьма больших мощностей на дальние расстояния; волноводов с особо малым затуханием; накопителей энергии и пр.

Помимо явления сверхпроводимости  в современной электротехнике все  шире используется явление криопроводимости , т.е. достижение некоторыми металлами весьма малой удельной проводимости при криогенных температурах (но более высоких, чем температура сверхпроводникового перехода, если данный металл вообще принадлежит к сверхпроводникам. Материалы, обладающие особо благоприятными свойствами для применения в качестве проводников в условиях криогеннных температур, называются криопроводниками или гиперпроводниками. Криопроводники могут с успехом использоваться для обмоток электрических машин и трансформаторов, для токопроводящих жил кабелей и т.п.

4. Сплавы высокого сопротивления

Помимо высокого сопротивления  от таких материалов требуются высокая  стабильность ρ во времени, малый ТКρ и малый коэффициент термо-э.д.с. в паре данного сплава с медью. Желательно, чтобы такие сплавы были дешевыми и по возможности не содержали дефицитных компонентов.

 Манганин

Это наиболее типичный и широко применяемый  для образцовых резисторов сплав. Примерный его состав: Cu- 85%, Mn- 12% и Ni- 3%; название происходит от наличия в нем марганца; желтоватый цвет объясняется большим содержанием меди. ρ манганина 0.42-0.48 мкОм∙м, коэффициент термо-э.д.с. в паре с медью всего 1-2 мкВ/К, α_ρ весьма мал. Предельная длительно допустимая рабочая температура не более 200°С.

 Константан

Сплав, содержащий около 60% меди и 40% никеля; этот состав отвечает минимуму α_ρ в системе Cu-Ni при довольно высоком значении ρ. Название константан объясняется значительным постоянством ρ при изменении температуры. Нагревостойкость константана выше, чем манганина, а механические свойства близки. Существенным отличием последнего является высокая термо-э.д.с. в паре с медью и с железом. Широкому применению константана препятствует большое содержание дорогого и дефицитного никеля.

Сплавы на основе железа

Сплавы системы Fe – Ni – Cr называются нихромами или (при повышенном содержании железа) ферронихромами; сплавы системы Fe – Cr – Al называются фехралями и хромалями. Нихромы весьма технологичны: их можно легко протягивать в тонкую проволоку или ленту, они имеют высокую рабочую температуру. Однако, как и в костантане, в них велико содержание никеля. Нихромы применяются в качестве электронагревательных элементов.

Хромо-алюминиевые сплавы намного дешевле нихромов, однако эти сплавы менее технологичны, более тверды и хрупки. Они в основном используются для электронагревательных устройств большой мощности.

5. Неметаллические проводники

Из числа твердых неметаллических  проводниковых материалов наибольшее значение имеют материалы на основе углерода. Из угля изготавливают щетки электрических машин, электроды для прожекторов, электроды для дуговых электрических печей и электролитических ванн, аноды гальванических элементов. Угольные порошки используют в микрофонах, из угля делают высокоомные резисторы, разрядники для телефонных сетей.

В качестве сырья для производства электроугольных изделий можно  использовать сажу, графит и антрацит. Природный графит – одна из модификаций  чистого углерода слоистой структуры с большой анизотропией как электрических, так и механических свойств. Сажи представляют собой мелкодисперсный углерод с примесями слоистых веществ. Лаки, в состав которых в качестве пигмента добавлена сажа, обладают малым удельным сопротивлением и могут быть использованы для выравнивания электрического поля в электрических машинах высокого напряжения.

1.3 Полупроводниковые материалы.

1. ширина запрещённой зоны, подвижность носителей тока, температура плавления

Ширина Запрещённой зоны — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие.

Температу́ра  плавле́ния и отвердева́ния — температура, при которой твёрдое кристаллическое тело совершает переход в жидкое состояние и наоборот.

2. Важнейшая область применения полупроводниковых материалов — микроэлектроника. Дальнейший прогресс в повышении быстродействия и в снижении потребляемой мощности связан с созданием интегральных схем на основе GaAs, InP и их твёрдых растворов с др. соединениями типа А^IIIВ^V. В больших масштабах используют полупроводниковые материалы для изготовления «силовых» полупроводниковых приборов (вентили, тиристоры, мощные транзисторы). Здесь также основным материалом является Si, а дальнейшее продвижение в область более высоких рабочих температур связано с применением GaAs, SiC и др. широкозонных полупроводниковых материалов.

3. Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10⁻⁸ … 10⁻⁹%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов, так как она определяется не легированием, а собственными свойствами материала, а именно термически возбуждёнными носителями, излучением и собственными дефектами.

4. Донорные полупроводники — примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные доноры.

5. Акце́пторные полупроводники — в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая придаёт кристаллу дырочный тип проводимости при которой носителями заряда являются дырки. Термин имеет смысл при ковалентном типе связей в кристалле. Акцепторы бывают однозарядными и многозарядными.

6. Полупроводник, не содержащий примесей, в нормальных условиях обладает так называемой собственной проводимостью или проводимостью типа i. Собственная проводимость обусловлена генерацией пар “электрон-дырка” . Если концентрация электронов в зоне проводимости – n_i , а дырок в валентной зоне – p_i и n_i = p_i,то собственная проводимость полупроводника:

σ_i = n_i е (μ_n + μ_p) (3.6)

В примесном полупроводнике n ¹ p, поэтому электропроводность выражается следующей формулой:

                                                          σ = е (μ_nn + μ_pp) (3.7)

7. Дрейфовый ток

Электроны и дырки  в кристалле находятся в состоянии  хаотического теплового движения. При  возникновении электрического поля на хаотическое движение накладывается компонента направленного движения, обусловленная действием этого поля. В результате электроны и дырки начинают перемещаться вдоль кристалла – возникает электрический ток, который называют дрейфовым.

Диффузионный ток

Причиной, вызывающей ток  в полупроводнике, может быть не только электрическое поле, но и градиент концентрации подвижных носителей заряда.

Если тело электрически нейтрально и в любой его микрообласти суммарный положительный и отрицательный  заряд равен нулю, то различие в  концентрациях носителей заряда в соседних областях не приведет к появлению электрического тока и электрических сил расталкивания, выравнивающих концентрацию. Но в соответствии с общими законами теплового движения возникнет диффузия микрочастиц из области с большей их концентрацией в область с меньшей, причем плотность диффузионного тока пропорциональна градиенту концентрации носителей заряда.

8. В области низких температур участок нижней ломаной между точками а и б характеризует только концентрацию носителей, обусловленную примесями. Наклон прямой на этом участке определяется энергией активации примесей. С увеличением температуры число носителей, поставляемых примесями, возрастает, пока не истощатся электронные ресурсы примесных атомов (точка б). На участке б – в примеси уже истощены, перехода электронов через запрещенную зону еще не обнаруживается. Участок кривой с постоянной концентрацией носителей заряда называют областью истощения примесей. В дальнейшем температура настолько велика, что начинается быстрый рост концентрации носителей вследствие перехода электронов через запрещенную зону ( участок в – и). Наклон этого участка характеризует ширину запрещенной зоны полупроводника. Угол наклона участка а – б зависит от концентрации примесей.

Вторая компонента, обуславливающая  электропроводность полупроводников – подвижность носителей заряда. При повышении температуры энергия электронов, а следовательно, и подвижность увеличивается. Но, начиная с некоторой температуры Т усиливаются колебания узлов кристаллической решетки полупроводника, которые мешают перемещению свободных носителей зарядов. Следовательно, их подвижность падает

9. Световая энергия, поглощаемая полупроводником, вызывает появление в нем избыточного (по сравнению с равновесным при данной температуре) количества носителей зарядов, приводящего к возрастанию электропроводности.

Фотопроводимостью называют увеличение электрической проводимости вещества под действием электромагнитного излучения.

Изменение электрических  свойств полупроводника под действием  электромагнитного излучения носит временный характер. После прекращения облучения проводимость более или менее быстро возвращается к тому значению, которое она имела до облучения. У одних полупроводников это длится микросекунды, у других измеряется минутами и, даже, часами. Знание инерционности фотопроводимости различных полупроводниковых веществ важно при разработке, например, фоторезисторов, к которым предъявляются высокие требования в отношении их быстродействия.

10. Электропроводность твердых кристаллических тел изменяется от деформации вследствие увеличения или уменьшения межатомных расстояний, приводящего к изменению концентрации и подвижности носителей зарядов. Подвижность носителей изменяется из-за изменения амплитуды колебания узлов кристаллической решетки при их сближении или удалении.

Величиной, численно характеризующей  изменение удельной проводимости полупроводников  при определенном виде деформации, является тензочувствительность, которая представляет собой отношение относительного изменения удельного сопротивления полупроводника к относительной деформации в данном направлении.

 

11. В сильных электрических полях нарушается пропорциональность между плотностью тока в полупроводнике и напряженностью внешнего электрического поля. Это является следствием физических процессов, вызывающих изменение удельной проводимости полупроводника. Напряженность поля, которую условно можно принять за границу между областью слабых 1 и сильных 2 полей, называют критической Е_кр. Эта граница не является резкой и определенной и зависит от природы полупроводника, концентрации примесей и температуры окружающей среды.  Возрастание проводимости обусловлено ростом числа носителей заряда, т.к. под влиянием поля они более легко освобождаются тепловым возбуждением. При дальнейшем росте поля может появиться механизм ударной ионизации, приводящий к разрушению структуры полупроводника.

12. Германий относится к числу сильно рассеянных элементов, т.е. часто встречающихся в природе, но присутствует в различных минералах в очень небольших количествах. Его содержание в земной коре составляет около 7·10^-4 %, что примерно равно природным запасам таких распространенных металлов, как олово и свинец и существенно превышает количество серебра, кадмия, ртути, сурьмы и др. Тем не менее, получение германия в элементарном виде вызывает большие затруднения. В настоящее время основными источниками промышленного получения германия являются побочные продукты цинкового производства, коксования углей, а также германиевые концентраты, получаемые из медносвинцовоцинковых руд.

Чистый германий обладает металлическим блеском, характеризуется относительно высокой твердостью и хрупкостью, подобно кремнию, он кристаллизуется в структуру алмаза.

Кристаллический германий химически устойчив на воздухе при  комнатной температуре. При нагревании его до 650°С он окисляется с образованием двуокиси GeO₂.

Германий обладает относительно невысокой температурой плавления - 936°С и ничтожно малым давлением  насыщенного пара при этой температуре. Ширина запрещенной зоны при изменении  температуры изменяется по линейному закону.

Оптические свойства германия позволяют использовать его  для изготовления фототранзисторов и фотодиодов, оптических линз с  большой светосилой, оптических фильтров, а также счетчиков ядерных  частиц. Рабочий диапазон германиевых  приборов от -60°С до +70°С.

13. В противоположность германию, кремний является одним из самых распространенных элементов в земной коре, где его содержится 29.5% по массе. По распространенности кремний занимает второе место после кислорода. Многочисленные соединения кремния входят в большинство горных пород и минералов. Песок и глина также представляют собой соединения кремния.

Кремний кристаллизуется  в структуру алмаза с несколько  меньшим, чем у германия периодом идентичности кристаллической решетки. Меньшие, чем у германия расстояния между атомами в решетке обуславливают более сильную ковалентную связь и, как следствие этого, более широкую запрещенную зону.

В химическом отношении  кремний является относительно инертным веществом. Он не растворим в воде, не реагирует со многими кислотами в любой концентрации. Растворяется в смеси азотной и плавиковой кислот и в кипящих щелочах. Кремний устойчив на воздухе при нагревании до 900°С. Выше этой Т^° он начинает активно окисляться с образованием двуокиси кремния SiO₂.

Кремний обладает сравнительно высокой температурой плавления и в расплавленном состоянии отличается высокой химической активностью.

Благодаря более широкой  запрещенной зоне, кремниевые приборы  могут работать при более высоких  температурах, чем германиевые. Верхний предел для них 180-200°С.

14. Соединения типа А^IIIВ^V являются ближайшими электронными аналогами германия и кремния. Они образуются в результате соединения элементов III группы Периодической системы (бора, алюминия, галлия и индия) с элементами V группы (азотом, фосфором, мышьяком и сурьмой). Висмут и таллий не образуют соединений рассматриваемого ряда.

Соединения А^IIIВ^V принято классифицировать по металлоидному признаку. Соответственно различают нитриды, фосфиды, арсениды и антимониды.

Многообразие свойств полупроводников типа А^IIIВ^V обуславливает их широкое применение в приборах и устройствах различного технического назначения. Особый интерес к этой группе материалов был вызван потребностями оптоэлектроники в быстродействующих источниках и приемниках излучения. Инжекционные лазеры и светодиоды на основе ПП А^IIIВ^V характеризуются высокой эффективностью преобразования электрической энергии в электромагнитное излучение.

Большой набор значений ширины запрещенной зоны у этих полупроводников  позволяет создавать на их основе различные виды фотоприемников, перекрывающих широкий диапазон спектра. Среди них наибольшее распространение получили фотодиоды и фотоэлементы.

GaAs, InSb применяются для  изготовления туннельных диодов. По сравнению с германиевыми  диодами, приборы из арсенида галлия характеризуются более высокой рабочей температурой, а диоды из антимонида индия обладают лучшими частотными свойствами при низких температурах.

Прогресс в технологии арсенида галлия, достигнутый за последние  годы, открыл широкие перспективы применения этого материала для создания полевых транзисторов и быстродействующих интегральных схем. По сравнению с кремнием GaAs является более технологически сложным материалом. Однако совершенствование технологии различных процессов, разработка новых методов осаждения защитных слоев позволяют реализовать возможности GaAs в повышении степени интеграции и быстродействия ИМС.

15. Твердые растворы позволяют существенно расширить по сравнению с элементарными полупроводниками и ПП соединениями набор электрофизических параметров, определяющих возможности применения материалов в конкретных полупроводниковых приборах.

Особый интерес к  твердым растворам обусловлен возможностью плавного управления шириной запрещенной  зоны полупроводников путем изменения их компонентного состава.

Твердые растворы открывают  широкие возможности создания гетеропереходов  и приборов на их основе. Под гетеропереходом понимают контакт двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Решающим критерием при выборе материала контактной пары является соответствие периодов их кристаллических решеток и температурных коэффициентов их линейного расширения

16. Твердые растворы позволяют существенно расширить по сравнению с элементарными полупроводниками и ПП соединениями набор электрофизических параметров, определяющих возможности применения материалов в конкретных полупроводниковых приборах.

Особый интерес к  твердым растворам обусловлен возможностью плавного управления шириной запрещенной  зоны полупроводников путем изменения  их компонентного состава.

Твердые растворы открывают  широкие возможности создания гетеропереходов  и приборов на их основе. Под гетеропереходом понимают контакт двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Решающим критерием при выборе материала контактной пары является соответствие периодов их кристаллических решеток и температурных коэффициентов их линейного расширения.

 

1.4 Диэлектрические материалы.

1. Диэлектрические материалы называют класс электротехнических материалов, предназначенных для использования диэлектрических свойств (большое сопротивление прохождению электрического тока и способность поляризовать).

Диэлектрики, используемые в качестве электроизоляционных материалов называют пассивными. Широко используется так  называемые активные диэлектрики, параметры которых можно регулировать, изменяя напряженность электрического поля, температуры, механическое напряжение, и другие параметры факторов, влияющих на них. Например конденсатор, диэлектрическим материалом в котором служит пьезоэлектрик, под действием приложенного переменного тока изменяет свои линейные размеры и становится генератором механических колебаниям.

2. Электронная поляризация - это смещение электронных орбит относительно положительно заряженного ядра. Она происходит во всех атомах любого вещества и, следовательно, во всех диэлектриках, независимо от наличия в них других видов поляризации.

Ионная поляризация - смещение друг относительно друга разноименно заряженных ионов в веществах с ионными связями. При этом центры положительных и отрицательных зарядов q ионов ячейки, совпадающие до приложения электрического поля, под действием поля раздвигаются на некоторое расстояние x в результате смещения разноименно заряженных ионов в противоположных направлениях, вследствие чего элементарная ячейка приобретает индуцированный электрический момент р_u = q_x.

Дипольная поляризация характерна для полярных диэлектриков. Сущность этого метода поляризации заключается в повороте в направлении электрического поля молекул, имеющих постоянный электрический момент.

Миграционная  поляризация наблюдается в некоторых диэлектриках и системах изоляции, в частности в неоднородных диэлектриках, особенно с полупроводящими включениями. Этот вид поляризации заключается в перемещении (миграции) зарядов в этих включениях до их границ и накопления зарядов на границах раздела.