Конструирование и проектирование типовых приборов и устройств
1.
Введение
Данный
курсовой проект основан на теоретическом
курсе «Конструирование и проектирование
типовых приборов и устройств», и
состоит из проектирования печатного
узла (2 часть) и перевода части печатного
узла в микроэлектронное исполнение
(часть 1).
В
первой части работы проводится конструирование
микросборки части
Микросборка
(МСБ) – микроэлектронное изделие, выполняющее
определенную функцию преобразования
и обработки сигнала, состоящая из элементов
и (или) компонентов, размещенных на общей
подложке, разрабатываемое для конкретной
РЭА с целью улучшения показателей её
микроминиатюризации и рассматриваемое
как единое целое с точки зрения требований
к приемке, поставке и эксплуатации.
Основными преимуществами
являются: минимальные габариты, функциональная
законченность, высокая надежность,
оптимальная электромагнитная совместимость,
возможность унификации.
Представленная в данной работе последовательность конструирования МСБ позволяет усовершенствовать исходную принципиальную схему и обеспечить лучшую работоспособность.
Во
второй части проводится выбор и
обоснование типа и технологии печатной
платы, расчет параметров проводящего
рисунка, расчет проводников по постоянному
и переменному току. Тут же производится
расчет теплового режима на необходимость
введения принудительного охлаждения.
Технологическое проектирование включает
в себя обеспечение технологичности
конструкции, которое предусматривает
взаимосвязанное решение
На сегодняшний
день технические требования к печатным
узлам постепенно возрастают, что
связано с ужесточением условий
эксплуатации и увеличением плотности
компоновки. Это приводит к необходимости
решения ряда технических проблем,
начиная с точности получения
проводящего рисунка, помехоустойчивости
и заканчивая обеспечением требуемых
электрофизических свойств
Часть
I. «Конструкторско- технологическая
разработка тонкопленочной
микросборки»
1.1 Конструкторская разработка МСБ
- Техническое задание
В состав МСБ входят следующие элементы:
| Элемент | Обозначение | Номинал | Размерность |
| резисторы | R5 | 2 | кОм |
| R6 | 0.6 | кОм | |
| R8 | 20 | кОм | |
| усилитель | DA2 |
- рабочий частотный диапазон: 10 Гц-20кГц;
- годовая программа выпуска: 5 000 шт;
- срок эксплуатации: 3 000 ч;
- допустимое значение паразитных параметров:
- ;
- ;
- ;
- требования к конструкции МСБ: корпусированная МСБ минимального размера.
- вариант технологии: тонкопленочная;
- метод получения рисунка: фотолитография;
- расположение выводов: на широкие стороны МСБ.
Все резисторы
можно реализовать в тонкопленочном исполнении;
усилитель – навесной.
3.
Преобразованная
и коммутационная
схемы
Преобразованная схема:
Коммутационная схема:
- элементов МСБ
резистор прямоугольной формы (R5)
При
конструировании МСБ для
Исходными данными для расчета являются:
- Номинальное сопротивление R=2000 Ом
- Мощность рассеивания P=10мВт
- Допустимая рабочая температура tд=75o
- Предполагаемый срок эксплуатации t=3000 ч.
- Погрешность удельного поверхностного сопротивления γRo=±4%
- Заданный допуск на сопротивление γRз=±10%
- Погрешность контактного сопротивления γRк=±0,5%
- Погрешность длины резистора Δl=±0,04%
- Погрешность ширины резистора Δb=±0,02%
- Технологическая зона h=0,1 мм
- Коэффициент нагрузки ТР по мощности Кн=1
Для всей номенклатуры сопротивлений тонкопленочных резисторов (ТР) требуется выбрать один резистивный материал. Для этого определим оптимальное сопротивление , при котором площадь, занимаемая всеми резисторами МСБ, будет минимальна
Ом/□
По таблице 1 из [1] выбираем резистивный материал с ближайшим меньшим Ro:
| материал | Ro, Ом/□ | Кн | Ро, мВт/мм2 | α.10-4, 1/оС | β.10-5, 1/ч |
| РС 3001 | 3000 | 1 | 50 | 1 | 0,5 |
Коэффициент формы:
Относительная температурная погрешность:
.
Относительная погрешность старения:
.
Относительная контактная погрешность:
- для фотолитографии.
Допустимая
относительная погрешность
- задавать новый допуск на сопротивление ТР не требуется
Допустимая
относительная погрешность
.
Определим ширину ТР bT или длину lT по точностному критерию:
Определяем длину ТР по заданной мощности рассеивания:
.
lтехн=0,1 мм – минимальная длина ТР при фотолитографии
Определяем активную ширину ТР:
мм.
Проверка:
низкоомный резистор (R6)
Так как используем низкоомный резистор
Исходными данными для расчета являются:
- Номинальное сопротивление R=600 Ом
- Мощность рассеивания P=10мВт
- Допустимая рабочая температура tд=75o
- Предполагаемый срок эксплуатации t=3000 ч.
- Погрешность удельного поверхностного сопротивления γRo=±4%
- Заданный допуск на сопротивление γRз=±10%
- Погрешность контактного сопротивления γRк=±0,5%
- Погрешность длины резистора Δl=±0,04%
- Погрешность ширины резистора Δb=±0,02%
- Технологическая зона h=0,1 мм
- Коэффициент нагрузки ТР по мощности Кн=1
Коэффициент формы:
Относительная температурная погрешность:
.
Относительная погрешность старения:
.
Относительная контактная погрешность:
- для фотолитографии.
Допустимая
относительная погрешность
- задавать новый допуск на сопротивление
ТР не требуется
Допустимая
относительная погрешность
.
Определяем bт по точностному критерию:
Определяем bм по мощности рассеивания:
Определяем параметр b:
Определяем l:
Выбираем ширину внешней рамки t=0,4мм.
Проверка:
резистор прямоугольной формы (R8)
При
конструировании МСБ для
Исходными данными для расчета являются:
- Номинальное сопротивление R=20000 Ом
- Мощность рассеивания P=10мВт
- Допустимая рабочая температура tд=75o
- Предполагаемый срок эксплуатации t=3000 ч.
- Погрешность удельного поверхностного сопротивления γRo=±4%
- Заданный допуск на сопротивление γRз=±10%
- Погрешность контактного сопротивления γRк=±0,5%
- Погрешность длины резистора Δl=±0,04%
- Погрешность ширины резистора Δb=±0,02%
- Технологическая зона h=0,1 мм
- Коэффициент нагрузки ТР по мощности Кн=1
Коэффициент формы:
Относительная температурная погрешность:
.
Относительная погрешность старения:
.
Относительная контактная погрешность:
- для фотолитографии.
Допустимая
относительная погрешность
- задавать новый допуск на сопротивление ТР не требуется
Допустимая
относительная погрешность
.
Определим ширину ТР bT или длину lT по точностному критерию:
Определяем ширину ТР по заданной мощности рассеивания:
.
bтехн=0,1 мм – минимальная длина ТР при фотолитографии
Определяем активную ширину ТР:
мм.
Проверка:
тонкопленочные проводники
Пленочные проводники конструируют в виде полосок минимальной длины. Минимальная ширина проводника для фотолитографии составляет 100 мкм. В качестве проводников используются трехслойные структуры, состоящие из подслоя, основного слоя и защитного покрытия.
Подслой обеспечивает высокую адгезию проводящей пленки и подложки, основной слой – высокую проводимость, а защитный слой предохраняет тонкопленочный проводник от климатических воздействий и обеспечивает монтажные свойства
|
Толщина слоя, нм | Удельное поверхностное сопротивление R0 опт, Ом/□ | Способ контактирования
с проволочными
проводниками |
| Подслой – нихром Х20Н80 | 20 | 0,02 | Сварка |
| Слой – медь вакуумной плавки МВ | 700 | ||
| Покрытие – никель НП2-М-М | 80 |
При расчете тонкопленочных проводников задают допустимую плотность тока j=0,02 мА/мкм2, допустимую величину падения напряжения на проводнике Uдоп=50 мВ, и максимальный ток, протекающий по этому проводнику, Imax=5 мА.
Выбрана структура нихром-медь-никель, Ro=0,02 Ом [1, с.27, табл.5].
Тогда
при известной толщине
- Выбор навесных элементов
В
настоящее время гибридная
операционный усилитель
Операционный усилитель 154УД3, имеет зарубежный корпусной аналог AD509. Бескорпусной отечественный аналог для 154УД3 не был найден. В связи с этим заменяем «1» на «7», тем самым получаем бескорпусной операционный усилитель 754УД3.
Конструктивные параметры:
| Тип п/п прибора | Габаритные размеры, мм | d,
мм |
l,
мм |
Габариты конт. пл. | |||
| a | b | H | n | m | |||
| 754УД3 | 1.9 | 1.9 | 0,4 | 0.04 | 0.8 | 0.3 | 0.4 |
Входы операционного усилителя:
1 – Баланс
2 – Вход инверсный
3 –
Вход неинверсный
4 – Питание -12В
5 – Свободный
6 – Выход
7 – Питание +12В
8 – Баланс
Принципиальная схема:
- Разработка топологии тонкопленочной БИС
Исходными данными для разработки топологии МСБ являются коммутационная схема (рис.2), установочные размеры для активных и пассивных навесных компонентов, конструктивные и технологические ограничения.
Разработка топологии включает в себя:
1. Определение площади платы;
2. Размещение элементов на плате;
3. Разводку проводников.
определение площади платы и выбор ее габаритных размеров
Площадь платы определяется по формуле
, где
По таблице 6 из [1] выбираем размер платы, ближайший по площади к :
| Ширина, мм | Длина, мм | ||
| Номинальное значение | Отклонение | Номинальное значение | Отклонение |
| 8 | -0.1 | 10 | -0.1 |
Чертеж топологии МСБ представлен в приложении А.
- Схема размещения плат на подложке
Платы размером 8Х10 мм размещаются на стандартной подложке 48Х60 мм.
- Материал подложки
Материал подложки должен обладать хорошими изолирующими свойствами, малой диэлектрической проницаемостью, высокой теплопроводностью, достаточной механической прочностью.
В
качестве материала подложки выберем
ситалл СТ50-1 (ситалл – кристаллическая
разновидность стекла), так как он обладает
приемлемыми качественными показателями
при относительно низкой стоимости.
Электрофизические и механические характеристики ситалла СТ50 – 1 :
1. Чистота поверхности: ;
2.
Температурный коэффициент
3. Теплопроводность: ;
4. Термостойкость: ;
5. на частоте f = 1 МГц
6. Электрическая прочность: 40 кВ/мм;
7. Ом/см;
8.
Удельная мощность рассеивания:
- Тепловой расчет МСБ
анализ теплового режима МСБ.
Определение теплового сопротивления (коэффициента кондуктивной передачи) :
(т.к. плата приклеивается к основанию корпуса);
[1, с.32, табл.9];
Определение приведенной толщины платы :
Определение максимально допустимой удельной мощности рассеивания на поверхности платы:
;
;
;
Сравнение усредненной удельной мощности рассеивания МСБ и максимально допустимой удельной мощности рассеивания :
- Анализ паразитных связей
емкостная паразитная связь в МСБ:
емкостная паразитная связь образуется при наличии пересечения проводников и при наличии параллельных проводников. В топологии разработанной МСБ отсутствуют пересечения проводников, поэтому рассчитаем емкостную паразитную связь только для системы из двух параллельных проводников (рис.):
Емкость
между параллельными
, где
С точностью не ниже 25% коэффициент для параллельных проводников равен:
индуктивная паразитная связь в МСБ :
Взаимная
индуктивность между двумя
гальваническая паразитная связь в МСБ:
Uдоп пар=50 мВ;
Imax=50 мА;
lш=2.4 мм;
bш=0,031 мм;
Ro=0,02 Ом/.
Падения напряжения:
- Анализ надежности МСБ статистическим методом.
В основу анализа
положено предположение, что МСБ
может рассматриваться как
,
где:
- вероятность безотказной
- интенсивность отказа МСБ.
Средняя наработка до первого отказа (МСБ считается невосстанавливаемым изделием):
Интенсивность отказа:
где:
- количество активных навесных компонентов: бескорпусных микросхем, транзисторов, диодов;
- количество пассивных навесных компонентов (конденсаторов);
- количество пленочных
- количество плат в МСБ;
- количество внешних соединений
МСБ и соединений между
- количество выводов
- интенсивности отказов
- интенсивность отказа корпуса;
- интенсивность отказов
- интенсивность отказов
- коэффициенты режима работы соответствующих компонентов:
- коэффициент, учитывающий
Расчет интенсивности отказов для рассматриваемой МСБ. Исходные данные представлены в таблице:
| Наименование элементов и компонентов МСБ | Количество
|
Коэффициенты
режима при |
||
| Тонкопленочный резистор | 3 | 1 | 4,4 | 13.2 |
| Тонкопленочный проводник | 10 | 0.1 | 1 | 1 |
| Тонкопленочный контакт | 17 | 0.1 | 1 | 1.7 |
| Соединение сваркой | 9 | 5 | 1 | 45 |
| Подложка (плата) | 1 | 0.5 | 1 | 0.5 |
| Корпус | 1 | 1 | 1 | 1 |
| Бескорпусная микросхема | 1 | 100 | 5,2 | 520 |
;
Средняя наработка до первого отказа:
Вероятность безотказной работы:
- Выбор корпуса микросборки
В соответствии с техническим заданием корпус микросборки должен отвечать требованиям:

- Конструирование и расчет генератора синусоидальных импульсов с усилителем мощности
- Конструирование и расчёт деревянных конструкций одноэтажного промышленного здания
- Конструирование и расчёт деревянных конструкций одноэтажного промышленного здания
- Конструирование и расчёт деревянных конструкций одноэтажного промышленного здания
- Конструирование и расчет дорожных одежд
- Конструирование и расчет емкостного аппарата вертикального типа с эллиптической фланцевой крышкой и приварным коническим днищем
- Конструирование и расчет колонны
- Конструирование из бумаги по типу оригами как средство развития творческих способностей детей мл
- Конструирование изделий из древесины на примере стол-парта
- Конструирование имиджа компании
- Конструирование и моделирование
- Конструирование и моделирование костюма в спортивном стиле
- Конструирование и проектирование здания
- Конструирование и проектирование интегральных микросхем