37.В чистом германии при температуре 300 К ширина запрещенной зоны равна 0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру полупроводника, чтобы концентрация электронов в зоне проводимости увеличилась в два раза? Дано: Т=300 К ∆W=0,72 эВ n2=2n1 Найти: ∆Т (Решение → 14807)

Заказ №39119

37.В чистом германии при температуре 300 К ширина запрещенной зоны равна 0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру полупроводника, чтобы концентрация электронов в зоне проводимости увеличилась в два раза? Дано: Т=300 К ∆W=0,72 эВ n2=2n1 Найти: ∆Т

Решение:

В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы: 2 W kT i i c v n p N N e     где NC и NV – эффективные концентрации электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне соответственно.

37.В чистом германии при температуре 300 К ширина запрещенной зоны равна 0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру полупроводника, чтобы концентрация электронов в зоне проводимости увеличилась в два раза? Дано: Т=300 К ∆W=0,72 эВ n2=2n1 Найти: ∆Т

37.В чистом германии при температуре 300 К ширина запрещенной зоны равна 0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру полупроводника, чтобы концентрация электронов в зоне проводимости увеличилась в два раза? Дано: Т=300 К ∆W=0,72 эВ n2=2n1 Найти: ∆Т

37.В чистом германии при температуре 300 К ширина запрещенной зоны равна 0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру полупроводника, чтобы концентрация электронов в зоне проводимости увеличилась в два раза? Дано: Т=300 К ∆W=0,72 эВ n2=2n1 Найти: ∆Т