Ирина Эланс
По тонкому кольцу радиусом R = 10 см равномерно распределен заряд с линейной плотностью = 10 нКл/м. Определить потенциал в точке, лежащей на оси кольца, на расстоянии а = 5 см от центра. Дано: R = 10 см =0,1 м τ = 10 нКл/м=10-8 Кл/м а= 5 см=0,05 м Найти: φ (Решение → 42113)
Заказ №52532
По тонкому кольцу радиусом R = 10 см равномерно распределен заряд с линейной плотностью = 10 нКл/м. Определить потенциал в точке, лежащей на оси кольца, на расстоянии а = 5 см от центра. Дано: R = 10 см =0,1 м τ = 10 нКл/м=10-8 Кл/м а= 5 см=0,05 м Найти: φ
Решение:
Для нахождения потенциала на оси кольца воспользуемся принципом суперпозиции: потенциал поля, создаваемого системой зарядов, равен алгебраической сумме потенциалов полей, создаваемых каждым из зарядов: 1 n i i . В нашем случае при равномерном распределении заряда i d , где i d -потенциал поля, создаваемого элементарным зарядом dq : i dq d k r .
- Расстояние d между двумя длинными тонкими проволоками, расположенными параллельно друг другу, равно 16 см. Проволоки равномерно заряжены разноименными зарядами с линейной плотностью || = 150 мкКл/м.
- Тонкий стержень длиной l = 10 см равномерно заряжен. Линейная плотность заряда = 1 мкКл/м. На продолжении оси стержня на расстоянии a = 20 см от ближайшего конца находится точечный заряд q = 100 нКл. Определить силу F взаимодействия заряженного стержня и точечного заряда.
- Электрон с энергией Е движется в направлении потенциального барьера высотой U = 3,8 эВ и шириной l = 0,15 нм. При каком значении энергии Е электрон с вероятностью w = 0,1 преодолеет барьер? Дано: U = 3,8 эВ l= 0,15 нм=1,5‧10-10 м w = 0,1 Найти: Е
- Поляроид пропускает частично поляризованный свет. Какова степень поляризации, если отношение минимальной и максимальной амплитуд колебаний в двух взаимно перпендикулярных направлениях равно n = 0,1? Дано: min max I I = n = 0,1 Найти: Р
- ва когерентных источника света (λ = 589 нм) дают на экране, отстоящем от источников на расстояние L = 1 м, интерференционную картину. Определить расстояние между максимумами соседних интерференционных полос, если расстояние между источниками света d = 14 мкм.
- Резонансная частота контура, в который последовательно включены конденсатор емкостью С = 400 пФ и катушка индуктивности с омическим сопротивлением R = 20 Ом, ωР = 600 кГц. Определить добротность контура Q.
- 309. На расстоянии r = 10 нм от траектории прямолинейно движущегося электрона максимальное значение магнитной индукции Bmax = 150 мкТл. Определить скорость v электрона. Дано: Вmax=150 мкТл=1,5∙10-4 Тл r=10 нм=10-8 м Q=1,6∙10-19 Кл Найти: v
- Рамка гальванометра длиной a=4 см и шириной b=1,5 см, содержащая N=200 витков тонкой проволоки, находится в магнитном поле с индукцией B=0,1 Тл. Плоскость рамки параллельна линиям индукции.
- Тонкий провод в виде дуги, составляющей треть кольца радиусом R=15см, находится в однородном магнитном поле (B=20 мТл). По проводу течет ток I=30 А. Плоскость, в которой лежит дуга, перпендикулярна линиям магнитной индукции, и подводящие провода находятся вне поля.
- При какой силе тока I, текущего по тонкому проводящему кольцу радиусом R = 0,2 м, магнитная индукция B в точке, равноудаленной от всех точек кольца на расстояние r = 0,3 м, станет равной 20 мкТл? Дано: R= 0,2 м r=0,3 м В=20 мкТл=2‧10-5 Тл Найти: I
- Электроемкость С плоского конденсатора равна 111 пФ. Диэлектрик — фарфор.
- Электроемкость С плоского конденсатора равна 111 пФ. Диэлектрик — фарфор. Конденсатор зарядили до разности потенциалов U=600В и отключили от источника напряжения.
- Между пластинами плоского конденсатора, заряженного до разности потенциалов U=600 В, находятся два слоя диэлектриков: стекла толщиной d1=7мм и эбонита толщиной d2=3 мм. Площадь S каждой пластины конденсатора равна 200 см2 .
- Между пластинами плоского конденсатора, заряженного до разности потенциалов U=600 В, находятся два слоя диэлектриков: стекла толщиной d1=7мм и эбонита толщиной d2=3 мм. Площадь S каждой пластины конденсатора равна 200 см2 .