Ирина Эланс
Заказ: 1085259
Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат для гибридных интегральных схем» (вариант 4) Исходные данные: 1. Материал: Ситалл СТ-50 2. Размеры заготовки: 60х48 мм. 3. Типоразмер платы: №7 16 х 20 мм. 4. Толщина платы: 0,5 мм. 5. Годовой план: 500000 шт 6. Выход годного по обработке (ВГО): 91% 7. Выход годного по плате (ВГП):98%
Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат для гибридных интегральных схем» (вариант 4) Исходные данные: 1. Материал: Ситалл СТ-50 2. Размеры заготовки: 60х48 мм. 3. Типоразмер платы: №7 16 х 20 мм. 4. Толщина платы: 0,5 мм. 5. Годовой план: 500000 шт 6. Выход годного по обработке (ВГО): 91% 7. Выход годного по плате (ВГП):98%
Описание
СОДЕРЖАНИЕ:
ВВЕДЕНИЕ
ЧАСТЬ I. АНАЛИТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
1. Требования к подложкам
2. Материалы подложек
3. Обоснование применения материала
4. Технология получения ситалла
5. Механическая обработка ситалла
5.1. Резка
5.2. Шлифовка
6. Операции разделения подложек на платы
6.1(а) Алмазное скрайбирование
6.1(б) Лазерное скрайбирование
6.2. Разламывание пластин на кристаллы
ЧАСТЬ II. РАСЧЕТ
1. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СУММАРНОГО ПРИПУСКА НА МЕХАНИЧЕСКУЮ ОБРАБОТКУ
2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГОДОВОГО РАСХОДА МАТЕРИАЛА
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Всего: 28 страниц

- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных схем» (вариант 7) Исходные данные: 1) Материал: Монокристаллический кремний. 2) Размеры заготовки: D=250 мм 3) Типоразмер кристалла: №9 10х16 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,25 мм. 5) Годовой план:Q= 800000 6) Выход годного по сборке (ВГС):G1= 84% 7) Выход годного по кристаллу (ВГК): G2= 75% 8) Выход годного по обработке (ВГО): G3= 55%
- Курсовая работа на тему: “Технология изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных микросхем" (вариант 21) Исходные данные: 1) Материал: Стекло С-48. 2) Размеры заготовки: 60 х 48 3) Типоразмер кристалла: №10 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,4 мм. 5) Годовой план: N= 1500000 6) Выход годного по обработке: V1=83% 7) Выход годного по плате: V2=80%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат тонкоплёночных гибридных интегральных схем» (вариант 29)
- Курсовая работа на тему: "Технология получения монокристаллического InSb p-типа"
- Курсовая работа на тему: "Технология получения ферментов на примере производства L-аспарагиназы"
- Курсовая работа на тему: "Товарная биржа в системе оптового рынка"
- Курсовая работа на тему: "Товарная реклама как элемент маркетинговых коммуникаций"
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем» (вариант 10) Исходные данные: 1) Материал: Монокристаллический кремний. 2) Размеры заготовки: D=150 мм 3) Типоразмер кристалла: №12 2,5x4 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,55 мм. 5) Годовой план: N= 600 000 6) Выход годного по обработке: V1=81% 7) Выход годного по кристаллу: V2=89%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем» (вариант 12) Исходные данные: 1) Материал: Монокристаллический кремний. 2) Размеры заготовки: D=150 мм 3) Типоразмер кристалла: №16 8x10 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,55 мм. 5) Годовой план: N= 900 000 6) Выход годного по обработке: V1=88% 7) Выход годного по кристаллу: V2=97%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем» (вариант 17) Исходные данные: 1) Материал: Монокристаллический кремний. 2) Размеры заготовки: D=150 мм 3) Типоразмер кристалла: №10 10х12 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,5 мм. 5) Годовой план: N= 500000 6) Выход годного по обработке: V1=85% 7) Выход годного по кристаллу: V2=88%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем» Исходные данные: 1) Материал: Монокристаллический кремний. 2) Размеры заготовки: D=250 мм 3) Типоразмер кристалла: №7; 24x60 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,35 мм. 5) Годовой план: N= 1 000 000 шт. 6) Выход годного по обработке: V1=89% 7) Выход годного по кристаллу: V2=93%
- Курсовая работа на тему: "Технология изготовления плат в толстоплёночных микросхемах" (вариант 15) Исходные данные: Материал: Монокристаллический кремний Размеры заготовки (диаметр): D=150 мм Типоразмер кристалла: №6 20х24 мм Толщина заготовки: l=0,5 мм Годовой план: N= 750 000 штук Выход годного по обработке: V1=89% Выход годного по кристаллу: V2=71%
- Курсовая работа на тему: "Технология изготовления плат в толстоплёночных микросхемах" Материал: Высокоглиноземистая керамика Размеры заготовки: S=60*48 (мм) Типоразмер: N5 24*30 (мм) Толщина: l=0,4 (мм) Годовой план: N=800 000 (штук) Выход годного по обработке: V1=80% Выход годного по плате: V2=93%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат для гибридных интегральных схем» (вариант 31) Исходные данные: 1. Материал: Ситалл СТ-50 2. Размеры заготовки: 60х48 мм. 3. Типоразмер платы: №5 24х30 мм. 4. Толщина платы:l= 0,55 мм. 5. Годовой план:N=500000 6. Выход годного по обработке (ВГО): V1=71% 7. Выход годного по плате (ВГП):V2=92%