Курсовая работа на тему: “Технология изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных микросхем" (вариант 21) Исходные данные: 1) Материал: Стекло С-48. 2) Размеры заготовки: 60 х 48 3) Типоразмер кристалла: №10 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,4 мм. 5) Годовой план: N= 1500000 6) Выход годного по обработке: V1=83% 7) Выход годного по плате: V2=80%

Содержание
ВВЕДЕНИЕ.
ЧАСТЬ I.
АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
1.2. ТРЕБОВАНИЯ К ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОДЛОЖКАМ И ВЫБОР МАТЕРИАЛА
1.3. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА МАТЕРИАЛА И ОСОБЕННОСТИ СТЕКЛООБРАЗНОГО СОСТОЯНИЯ
1.4. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЫРЬЯ
1.5. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ СТЕКЛОИЗДЕЛИЙ
1.5.1. Резка
1.5.2. Шлифовка и полировка
1.5.3. Химическое травление подложек
1.6. ОПЕРАЦИИ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК НА ПЛАТЫ
1.6.1. Алмазное скрайбирование
1.6.2. Лазерное скрайбирование
1.7. РАЗЛАМЫВАНИЕ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ
ЧАСТЬ II. РАСЧЕТ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Всего: 34 страницы