Ирина Эланс
Заказ: 1126579
Курсовая работа на тему: "Технология получения монокристаллического InSb p-типа"
Курсовая работа на тему: "Технология получения монокристаллического InSb p-типа"
Описание
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ИНЖЕНЕРНЫЕ РЕШЕНИЯ
2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗДЕЛ
2.1 Технологическая схема выращивания монокристаллического p-PbSe размером d=3 мм, l=15 мм
3. ОХРАНА ТРУДА И ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ
Всего: 16 страниц
- Курсовая работа на тему: "Технология получения ферментов на примере производства L-аспарагиназы"
- Курсовая работа на тему: "Товарная биржа в системе оптового рынка"
- Курсовая работа на тему: "Товарная реклама как элемент маркетинговых коммуникаций"
- Курсовая работа на тему: "Товарная специализация и размещение товарных секций и магазинов в торговом центре"
- Курсовая работа на тему: "Товарные биржи: сущность и тенденции развития"
- Курсовая работа на тему: "Товароведная характеристика ассортимента и экспертиза качества женского белья"
- Курсовая работа на тему: "Товароведная характеристика и экспертиза качества плавленого сыра, реализуемого ООО «ГиперГлобус, г. Москва"
- Курсовая работа на тему: "Технология изготовления плат в толстоплёночных микросхемах" (вариант 15) Исходные данные: Материал: Монокристаллический кремний Размеры заготовки (диаметр): D=150 мм Типоразмер кристалла: №6 20х24 мм Толщина заготовки: l=0,5 мм Годовой план: N= 750 000 штук Выход годного по обработке: V1=89% Выход годного по кристаллу: V2=71%
- Курсовая работа на тему: "Технология изготовления плат в толстоплёночных микросхемах" Материал: Высокоглиноземистая керамика Размеры заготовки: S=60*48 (мм) Типоразмер: N5 24*30 (мм) Толщина: l=0,4 (мм) Годовой план: N=800 000 (штук) Выход годного по обработке: V1=80% Выход годного по плате: V2=93%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат для гибридных интегральных схем» (вариант 31) Исходные данные: 1. Материал: Ситалл СТ-50 2. Размеры заготовки: 60х48 мм. 3. Типоразмер платы: №5 24х30 мм. 4. Толщина платы:l= 0,55 мм. 5. Годовой план:N=500000 6. Выход годного по обработке (ВГО): V1=71% 7. Выход годного по плате (ВГП):V2=92%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат для гибридных интегральных схем» (вариант 4) Исходные данные: 1. Материал: Ситалл СТ-50 2. Размеры заготовки: 60х48 мм. 3. Типоразмер платы: №7 16 х 20 мм. 4. Толщина платы: 0,5 мм. 5. Годовой план: 500000 шт 6. Выход годного по обработке (ВГО): 91% 7. Выход годного по плате (ВГП):98%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных схем» (вариант 7) Исходные данные: 1) Материал: Монокристаллический кремний. 2) Размеры заготовки: D=250 мм 3) Типоразмер кристалла: №9 10х16 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,25 мм. 5) Годовой план:Q= 800000 6) Выход годного по сборке (ВГС):G1= 84% 7) Выход годного по кристаллу (ВГК): G2= 75% 8) Выход годного по обработке (ВГО): G3= 55%
- Курсовая работа на тему: “Технология изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных микросхем" (вариант 21) Исходные данные: 1) Материал: Стекло С-48. 2) Размеры заготовки: 60 х 48 3) Типоразмер кристалла: №10 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,4 мм. 5) Годовой план: N= 1500000 6) Выход годного по обработке: V1=83% 7) Выход годного по плате: V2=80%
- Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат тонкоплёночных гибридных интегральных схем» (вариант 29)
