Курсовая работа на тему: «Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных схем» (вариант 7) Исходные данные: 1) Материал: Монокристаллический кремний. 2) Размеры заготовки: D=250 мм 3) Типоразмер кристалла: №9 10х16 мм. 4) Толщина заготовки: l=0,25 мм. 5) Годовой план:Q= 800000 6) Выход годного по сборке (ВГС):G1= 84% 7) Выход годного по кристаллу (ВГК): G2= 75% 8) Выход годного по обработке (ВГО): G3= 55%

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 4
ЧАСТЬ I. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР 5
1.1. ТРЕБОВАНИЯ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПОДЛОЖКАМ 5
1.2. ХАРАКТЕРИСТИКА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 6
1.3. ОБОСНОВАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 7
1.4. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 8
1.4.1. Получение кремния полупроводниковой чистоты 8
1.4.2. Выращивание монокристаллов 10
1.5. МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 13
1.5.1. Калибровка 13
1.5.2. Ориентация 14
1.5.3. Резка 16
1.5.4. Шлифовка и полировка 18
1.5.5. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек 20
1.6. ОПЕРАЦИИ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК НА ПЛАТЫ 21
1.6.1. Алмазное скрайбирование 22
1.6.2. Лазерное скрайбирование 23
1.7. РАЗЛАМЫВАНИЕ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ 24
ЧАСТЬ II. РАСЧЕТ 27
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 30
ПРИЛОЖЕНИЕ А 31
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 32