Для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером, используя входную и входную характеристику, определить
Для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером, используя входную и входную характеристику, определить коэффициент усиления по току h21э, величину напряжения Uкэ, и мощность на коллекторе Pк, если известно напряжение между базой и эмиттером Uбэ=0,25 В, сопротивление Rк=0,05 кОм и напряжение источника питания Eк=40 В.
1. По входной характеристике (рис. 7) определяем при Uбэ=0,25 В ток базы:
Iб=8 мА.
2. Линия нагрузки примет 2 значения:
- при закрытом транзисторе Uкэ=Ек=40 В (ток Iк=0)
- при открытом транзисторе Iк=Ек/Rк=40/50=0,8А (Uкэ=0)
На нагрузочной характеристике видно что Uкэ0=23В; Iк0=0,3А.
3
- Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходную характеристики, определите
- Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить по выходным характеристикам коэффициент усиления
- Для транзистора КТ339А, включенного по схеме с общей базой, при изменении тока эмиттера на
- Для транспортной задачи, исходные данные которой приведены в таблице, найти оптимальный план и вычислить
- Для транспортной задачи (строки – поставщики, столбцы потребители) составить модель и решить ее, используя
- Для трансформаторов типа ТМ заданы исходные данные, необходимые для расчета. Следует принять схемы соединения
- Для трех диэлектрических материалов при испытаниях в однородном электрическом поле получены приведенные на рисунке
- Для того, чтобы не теплоизолированная камера из металла М за время t, с, не
- Для того чтобы оплатить операцию жене, инженер Подлевский продал разработку оптического прибора, которая не
- Для того чтобы раскрутить диск радиуса R1 вокруг своей оси до угловой скорости ω,
- Для того чтобы раскрутить стержень массой m1 и длиной ℓ1 (см. рис.) вокруг вертикальной
- Для толстостенного сосуда, находящегося в условиях воздействия давления (p1 и/или p2) требуется: 1. Построить
- Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, заданы напряжение на базе Uбэ, напряжение
- Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, заданы напряжения на базе Uбэ=0,2В, сопротивление