Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить по выходным характеристикам коэффициент усиления
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить по выходным характеристикам коэффициент усиления по току КI, значения сопротивлений нагрузки Rk1 и Rk2, мощность на коллекторе Рк1 и Рк2 для значений тока базы Iб1=1мА и Iб2=2мА., если напряжение на коллекторе Uкэ=25В и напряжение источника Ек=40В Ik2 Ik1
При заданном напряжении Uкэ=25 В и токе базы Iб1=1 мА, по выходным характеристикам находим ток коллектора : Ik1=0,15А.
Аналогично, находим ток коллектора при значениях напряжения Uкэ=25 В и токе базы Iб2= =2мА : Ik2=0,27мА
Находим мощность на коллекторе при значениях тока коллектора Ik1 и Ik2 :
Pk1=UкэIk1=25×0,15=3,75 Вт
Pk2=UкэIk2=25×0,27=6,75 Вт
Находим сопротивления нагрузки, для различных токов коллектора :
Rk1=(Ek-Uкэ)/Iк1=(40-25)/0,15=100 Ом
Rk2=(Ek-Uлэ)/Ik2=(40-25)/0,27=55,6 Ом.
Определяем коэффициент усиления :
КI =ΔIk/ΔIб=
Ответ : Pk1=3.75мВт ; Pk2=6.75 Вт ; Rk1=100 Ом ; Rk2=55,6 Ом ; KI=120

- Для транзистора КТ339А, включенного по схеме с общей базой, при изменении тока эмиттера на
- Для транспортной задачи, исходные данные которой приведены в таблице, найти оптимальный план и вычислить
- Для транспортной задачи (строки – поставщики, столбцы потребители) составить модель и решить ее, используя
- Для трансформаторов типа ТМ заданы исходные данные, необходимые для расчета. Следует принять схемы соединения
- Для трех диэлектрических материалов при испытаниях в однородном электрическом поле получены приведенные на рисунке
- Для трехотраслевой системы экономики задана матрица прямых затрат А. Найти: 1) вектор конечной продукции Yдля
- Для трехотраслевой системы экономики задана матрица прямых затрат А. Найти: 1) вектор конечной продукции Yдля. 2
- Для того чтобы раскрутить диск радиуса R1 вокруг своей оси до угловой скорости ω,
- Для того чтобы раскрутить стержень массой m1 и длиной ℓ1 (см. рис.) вокруг вертикальной
- Для толстостенного сосуда, находящегося в условиях воздействия давления (p1 и/или p2) требуется: 1. Построить
- Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, заданы напряжение на базе Uбэ, напряжение
- Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, заданы напряжения на базе Uбэ=0,2В, сопротивление
- Для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером, используя входную и входную характеристику, определить
- Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходную характеристики, определите