Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как (Решение → 40941)

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности (РеПЗУ). Задана микросхема (ST93CS57) EEPROM ёмкостью 128 на 16бит. Нужно увеличить ёмкость до 1K на 64бит.



Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как (Решение → 40941)

Количество адресных входов базовой EEPROM
log2128=7
Количество адресных входов составной EEPROM
log21K=log21024=10
Для увеличения разрядности до 64 бит необходимо параллельно соединить 4 микросхем . Четыре параллельно соединенных базовых микросхем хранят 128x32 разрядных единиц.
Для увеличения емкости до 1К необходимо взять 8 микросхемы заданной емкостью 128

. Четыре параллельно соединенных базовых микросхем хранят 128x32 разрядных единиц.
Для увеличения емкости до 1К необходимо взять 8 микросхемы заданной емкостью 128