Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как. 2

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как. 2 (Решение → 40942)

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности. Задана микросхема (M2732) EPROM ёмкостью 4К на 8бит. Нужно увеличить ёмкость до 16K на32бит.



Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как. 2 (Решение → 40942)

Количество адресных входов базовой EEPROM
log24K=log24096=12
Количество адресных входов составной EEPROM
log216K=log216384=14
Для увеличения емкости до 16К необходимо взять 4 микросхемы заданной емкостью 4К . На адресные входы микросхем подаются сигналы 12и младших разрядов адреса составной EPROM

. На адресные входы микросхем подаются сигналы 12и младших разрядов адреса составной EPROM