Рисунок 2 – Схема триггера на биполярных транзисторах Дано: В статическом триггере (рисунок 2) транзистор

Рисунок 2 – Схема триггера на биполярных транзисторах
Дано: В статическом триггере (рисунок 2) транзистор (Решение → 50169)

Рисунок 2 – Схема триггера на биполярных транзисторах Дано: В статическом триггере (рисунок 2) транзистор VT1 находится в состоянии насыщения. UП=4,7 В, Rk1=Rk2=0,45 кОм, R1=R2=4,55 кОм, Rб1=Rб2=20 кОм, h21э=30, Eб=-0,85 В, Rэ1=Rэ2=50 Ом. Напряжение насыщенного ключа Uбэ.нас=0,7 В, напряжение Uкэ.нас=0,2 В. Определить напряжения Q≡Uk1, Q≡Uk2 и коэффициент насыщения транзистора VT1. Найти потенциал базы закрытого транзистора VT2.



Рисунок 2 – Схема триггера на биполярных транзисторах
Дано: В статическом триггере (рисунок 2) транзистор (Решение → 50169)

Определим потенциал эмиттера насыщенного транзистора VT1. Для этого нужно знать ток Iэ через сопротивление Rэ1. Считаем, что Iк ≈ Iэ. Тогда по уравнению (3.23) задачника:
Iк ≈ Iэ=UП-Uкэ.насRк1+Rэ1=4,7-0,2В0,45+0,05∙103Ом=9 мА.
Потенциал эмиттера Uэ1:
Uэ1=IэRэ1=9 мА∙50 Ом=0,45 В.
Потенциал прямого выхода Q по формуле (3.22) задачника:
Q=IэRэ1+Uкэ.нас≈IкRэ1+Uкэ.нас=0,45+0,2=0,65 В.
Потенциал базы транзистора VT1 равен:
Uб1=Uэ1+Uбэ.нас=0,45+0,7=1,15 В.
Ток I через сопротивления Rk2 и R1:
I=UП-Uб1Rк2+R1=4,7-1,15(0,45+4,55)∙103=0,71 мА.
Потенциал Q определяем по формуле (3.24) задачника:
Q=UП-IRk2=4,7 В-0,71мА∙0,45 кОм=4,381 В≈4,4 В.
Коэффициент насыщения транзистора VT1 можно вычислить по формуле (3.26) задачника