Указать и обосновать направление движения носителей заряда через p-n переход в результате процесса приведенного

Указать и обосновать направление движения носителей заряда через p-n переход в результате процесса приведенного (Решение → 55769)

Указать и обосновать направление движения носителей заряда через p-n переход в результате процесса приведенного в табл. 4, в отсутствие внешнего ЭДС или других внешних факторов.



Указать и обосновать направление движения носителей заряда через p-n переход в результате процесса приведенного (Решение → 55769)

На Рис. 1.1 показана схема p-n перехода в равновесном состоянии (отсутствие внешней ЭДС или других внешних факторов). В равновесном состоянии на границе p-n перехода образуется запирающий слой – двойной электрический слой пространственного заряда ионных остатков после диффузии основных носителей заряда из области с их высокой концентрации в соседнюю область с их низкой концентрацией . Электрическое поле этого слоя пространственного заряда обуславливает дрейф неосновных носителей заряда через границу p-n перехода, полностью компенсируя диффузионный ток основных носителей заряда, так что полный ток носителей заряда через границу p-n перехода становится равным нулю

. Электрическое поле этого слоя пространственного заряда обуславливает дрейф неосновных носителей заряда через границу p-n перехода, полностью компенсируя диффузионный ток основных носителей заряда, так что полный ток носителей заряда через границу p-n перехода становится равным нулю