Електронна літографія

Сумський державний університет

Факультет електроніки  та інформаційних технологій

Кафедра прикладної фізики

 

 

 

 

 

КУРСОВА   РОБОТА

з дисципліни

„ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ”

 

 

Тема роботи: „Електронна  літографія”

 

 

 

 

Виконала студентка  групи ЕП-91:    Запорожченко А.В. Перевірила:            Опанасюк Н.М.,

кандидат фізико-математичних наук

 

 

 

Суми 2011

ЗМІСТ

Реферат……………………………………………………………………..3

Вступ………………………………………………………………………..4

1. Фізичні основи електронної літографії…………………………………5
2. Загальні поняття. Види електронної літографії…………………..……5

2.1. Проекційна електронна  літографія………………………………....6

2.2. Скануюча електронна літографія…………………………………..9

2.3. Нова електронна літографія………………………………………..13

3. Проблема суміщення…………………………………………………….16

4. Аналітичні моделі………………………………………………………...17

4.1. Модель Каная………………………………………………………...17

4.2. Модель прямого розсіювання………………………………………19

Висновки……………………………………………………………………21

Список літератури…………………………………………………………22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

РЕФЕРАТ

 

  Курсова робота  складається зі вступу, 4 частин та висновків і присвячена електронній літографії.

У першому розділі  коротко викладено фізичні основи, на яких базується процес електронної  літографії.

У другому розділі  вводяться загальні поняття, а також досить детально описані види електронної літографії, технологічні процеси їх проведення та установки для них.

У третьому розділі коротко описана проблема суміщення як одна с основних в електронній літографії.

У четвертому розділі  викладено матеріал про аналітичні моделі, що допомагають зрозуміти процеси, які відбуваються при взаємодії електронного пучка з системою резист-підкладка

Робота викладена на 22 сторінках, включає 6 рисунків і 10 посилань літератури.

КЛЮЧОВІ СЛОВА:  ЕЛЕКТРОННА ЛІТОГРАФІЯ, ЕЛЕКТРОНОРЕЗИСТ, ПІДКЛАДКА, ПРОЕКЦІЙНА ЕЛЕКТРОННА ЛІТОГРАФІЯ СКАНУЮЧА ЕЛЕКТРОННА ЛІТОГРАФІЯ, НОВА ЕЛЕКТРОННА ЛІТОГРАФІЯ, СУМІЩЕННЯ, РОЗСІЮВАННЯ, ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ПРОЦЕС, ЧУТЛИВІСТЬ ТА РОЗДІЛЬНА ЗДАТНІСТЬ, АНАЛІТИЧНА МОДЕЛЬ.

 

 

 

 

 

 

 

 

ВСТУП

 

Мікроелектроніка є  однією з галузей науки і техніки, що розвиваються найбільш швидко. Це пов’язано з все більш зростаючим попитом на електронні прилади та пристрої.

Процес виготовлення мікроелектронних виробів - інтегральних мікросхем постійно вдосконалюється. Мікрохемотехніка є схемотехнічним розділом мікроелектроніки, що вивчає дослідження і розробку схемотехнічних рішень, які використовуються в інтегральних мікросхемах (ІМС). Дана робота присвячена огляду процесу електронної літографії.

Електронна літографія – це метод літографії з використанням  електронного пучка. Вона використовується для створення масок для фотолітографії, виробництва штучних компонентів, де потрібна нанометрова роздільна здатність, у промисловості та дослідницькій роботі.

Системи електронної  літографії для комерційних потреб є дуже дорогими (> $4 млн.), але дозволяють отримати роздільну здатність менше 10 нм (навіть до 1 нм).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1. ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ЛІТОГРАФІЇ

 

В електронній літографії використовуються електронні пучки. Довжина хвилі при енергії електронів 15 кеВ близько 10-15 мкм, тобто приблизно на чотири порядки менше, ніж у світлового випромінювання, і на два порядки менше, ніж у рентгенівського випромінювання. Однак внаслідок розсіювання електронів і утворення вторинних електронів з досить високими енергіями розмір області резисту, яка експонується електронами, перевищує розміри перетину електронного пучка і дозволяє, за оцінками,  отримати роздільну  здатність лише 0,2 мкм. Загальний недолік всіх систем електронної літографії полягає  в необхідності помістити підкладку у вакуум, що ускладнює технологію процесу електронної літографії. Від цього недоліку вільна рентгено-променева літографія, при цьому використовується більш просте і дешеве устаткування. [1]

 

2. ЗАГАЛЬНІ ПОНЯТТЯ. ВИДИ ЕЛЕКТРОННОЇ ЛІТОГРАФІЇ

 

Вперше електронний пучок для генерації зображення використали Р.Торнлей та Т.Сан у 1965 р., після чого почався розвиток цього універсального та унікального методу. Виходячи з того, що електрон, який має енергію порядку 90 кеВ, можна співставити з хвильовою функцією з довжиною хвилі біля 0,4 Â деякі вчені вважали цю величину границею роздільної здатності, що є досить необачним, враховуючи те, що розміри атома складають одиниці ангстрем. Однак успіхи в області створення електронно-променевого устаткування дозволяють на серійних установках оперувати з електронними пучками діаметром 10..30 Â. Однак використання аналогічного устаткування для генерації малюнку на підкладці призвели до більш скромних результатів, що на світанку електронної літографії дуже здивувало дослідників. Застосування для генерації лінії пучка електронів діаметром 100 Â призводило до генерації на резисті лінії шириною 1 мкм. Виявилось, що процес взаємодії електронів з твердим тілом, зокрема, з системою «резист - підкладка», набагато складнішим, ніж здавався спочатку.

В розпорядженні у технологів формально є два основних шляхи використання електронних пучків для генерації рисунка на підкладці: одночасне експонування всього зображення (чи його фрагмента) цілком (проекційна літографія) і послідовне експонування гострофокусованим пучком (сканування) окремих ділянок підкладки від точки до точки (скануюча літографія). [2]

 

2.1. ПРОЕКЦІЙНА ЕЛЕКТРОННА ЛІТОГРАФІЯ

 

В проекційній системі широкий несфокусований потік електронів можна використовувати для отримання всього рисунка протягом однієї експозиції. У цій системі фотокатод знаходиться на поверхні оптичної маски із заданим рисунком. Ультрафіолетові промені опромінюють фотокатодний шар через маску, що викликає емісію електронів з фотокатода в опромінених областях рисунка. Ці електрони проектуються на поверхню резиста за допомогою однорідних електростатичних і магнітних полів. В результаті на всій площі підкладки рисунок утворюється за одну експозицію. [3]

Проекційна електронна літографія (ПЕЛГ) основана на експонуванні зображення електроношаблона великих розмірів і є аналогом фото- та –рентгенолітографії . Використовується широкий пучок електронів, що випромінюється пушкою 1 (рис. 1) і розфокусовується пластиною 2, з діаметром, більшим за діаметр підкладки, і П-подібним розподілом щільності струму по перетину пучка. В якості оригіналів, з яких необхідно перенести зображення на резист, використовуються або електроношаблони, або емісійні катоди. Так як виготовлення шаблонів з металічної фольги не єдоцільним через хрупкість конструкції і неможливості отримання замкненого контуру, то використовують технологію неорганічних рентгеношаблонів, так як електронний пучок  енергією порядку 30-50 кеВ легко і практично без спотворення проходить через кремнієву мембрану товщиною 3-6 мкм. Цей спосіб не можна назвати перспективним через труднощі, пов’язані з отриманням потрібних однорідних пучків і створенням прецизійних шаблонів.

Інший напрям ПЕЛГ пов’язаний із застосуванням емісійних катодів. Найпростішим, але майже нереалізовуваним є емісійний термокатод, що є кремнієвою пластиною , покритою або матеріалом з високою термоемісією, або матеріалом з коефіцієнтом термоемісії менше, ніж у кремнію. Нагрів такого термокатода до температури, що відповідає активній термоемісії, призводить до деформації пластини і неконтрольованої зміни розмірів у різних її частинах, що не дозволяє виконати прецизійне конформне відображення рисунка з катода на підкладку. Задача прецизійного термоконтролю по всій площі сучасних пластин діаметром 300 мм є абсолютно утопічною.

Більш перспективними емісійними катодами є фотокатоди (рис. 2), що представляють собою прозорий для УФ-випромінювання шаблон (пластину) 5, на який нанесено шар фото емітера 6 і створений відповідний рисунок 7. В якості фото емітера найчастіше використовується паладій, що має гарну фотоемісію. При опроміненні фотокатода УФ-випромінюванням 2 від квазіточкового джерела 1 зі зворотної сторони катода через конденсор 3, що створює паралельний потік УФ-випромінювання 4, паладій емітує електрони 8 з енергією кілька електрон-вольт. Прикладене електричне поле Е прискорює їх до потрібних енергій, а електронно-оптична система формує на підкладці 10, покритій резистор, відповідний рисунок 9.

Процес проходить при кімнатній температурі. Недоліком цього способу є матеріал фото емітера, що є дуже чутливим до різних видів забруднень, яких неможливо уникнути при роботі. Катод із CsI, наприклад, після 5..10 експозицій «отруюється» і його необхідно регенерувати, тому, поки не буде знайдений довговічний і технологічний матеріал для фотокатодів, ці дослідження не вийдуть за рамки експериментальних. [3]

Рисунок 2 – Проекційна електронна літографія з емісійним

фотокатодом [3]:

1 – джерело УФ-випромінювання;

2 – УФ-випромінювання;

3 – конденсор;

4 – паралельний пучок УФ-випромінювання;

5 – шаблон;

6 – фотоемітер;

7 – рисунок шаблона;

8 – електрони;

9 – рисунок на підкладці;

10 – підкладка.

 

 

 

2.2. СКАНУЮЧА ЕЛЕКТРОННА ЛІТОГРАФІЯ

Для безпосереднього створення малюнка на шаблоні чи підкладці використовуються скануючі системи, що керуються за допомогою ЕОМ, яка задає програму переміщення відфокусованого електронного пучка електронів по поверхні підкладки, керує електронно-оптичною системою формування та настройки променя і забезпечує прецизійне суміщення фрагментів зображення. Переміщення сфокусованого електронного пучка може здійснюватися або растровим способом (повна розгортка променя по площині з погашенням променя в необхідних місцях), або векторним способом (промінь пересувається лише у межах експонованих ділянок, перескакуючи з одної на іншу). [3] На рис. 4а представлений приклад векторної літографії на плівці титану, здійсненої шляхом локального окислення за допомогою провідного зонда. Ширина окисної смужки 8-10 нм дозволяє формувати тунельно-прозорі бар'єри для електронів, а також одно електронні пристрої, що функціонують за квантово-механічними законами при кімнатній температурі. Для складних рисунків можна проводити растрову літографію, яка здійснюється в процесі сканування поверхні. Тобто зонд проходить по всіх точках обраної області сканування, а не тільки по точкам і лініям, відповідним рисунку шаблона, як у векторній літографії. Шаблоном в растровій літографії  служить  заздалегідь завантажений графічний файл. Різниця між найбільшою і найменшою можливою напругою на зразку ділиться пропорційно відповідно до найбільшого і найменшим значень яскравості на вихідному зображенні, і відповідно до цього буде змінюватися висота анодного оксидного шару на поверхні зразка, формуючи на ній топографічний контраст. Приклад растрової літографії наведено на рис. 4б, на якому зображений нобелівський лауреат Жорен Алферов. [4]

Однак у випадку векторного способу точність відхиляючої системи обмежена, і необхідно користуватися комп’ютерною корекцією місцезнаходження пучка.

 

Рисунок 4– Приклад векторної (а) (розмір скана 500×500 нм²) і растрової (б) (розмір скана 2,5×3,0 мкм²) літографії [4]

 

Для формування електронного променя використовується електронно-оптична система, конструктивно виконана у вигляді електронно-оптичної колони (рис. 5.5). Для створення електронного потоку використовуються або термоемісійні, або автоемісійні катоди. Термоемісійні катоди являють собою або У-подібний вольфрамовий дріт (термокатодом) 7, що нагрівається протікаючим через нього електричним струмом до температури, що забезпечує термоемісію електронів, або гостро заточений стрижень зі спеціального матеріалу (частіше всього - гексабориди лантану), що нагрівається будь-яким способом до температури емісії. Автоемісійні катоди представляють собою металевий монокристал, виконаний у вигляді загостреного циліндра, з поверхні вістря якого при дподанні електричного поля відповідної напруженості здійснюється автоеміссія електронів. У систему катодного вузла входить також керуючий електрод 2, що називається венельтом, який служить для формування прикатодної хмари електронів. Між катодом і анодом 7 прикладається прискорююча напруга, за допомогою якої електронний потік набуває необхідної енергії. Обмежуюча діафрагма 3 формує електронний промінь необхідної форми (круглий або квадратний). Зменшуюча лінза 4 створює його зменшене зображення.

Рисунок 5 – Електронно-оптична система установки скануючої електронної літографії [2]:

1 – термокатод;

2 – венельт;

3, 7 – діафрагми;

4, 6 – зменшуючі лінзи;

5 – електрод, що гасить;

8 – проекційна лінза;

9 – ЕВС;

10 – підкладка.

 

Електроди 5, що гасять, здійснюють вимкнення електронного пучка в необхідний момент час. Зменшуюча лінза 6 і діафрагма 7 створюють остаточне зображення променя. Проекційна лінза 8 та електронно-променева відхиляюча система (ЕВС) 9 здійснюють розгортку електтронного променя по поверхні підкладки 10. Формований електронний пучок може мати різну форму (найпростіша - круглий з гаусівським розподілом густини струму по перетину). При переміщенні його від точки до точки необхідно враховувати коефіцієнт заповнення, тому намагаються використовувати або квадратні пучки з П-подібним розподілом щільності струму по перетину пучка, або стрибаючі пучки із змінною геометрією. Проміжне місце між проекційними і скануючими установками займають системи з так званою фасетною оптикою, в яких широкий розфокусований пучок електронів розділяється на безліч дрібних автономно керованих скануючих електронних пучків (кожен зі своєю електронною оптикою і системою управління). Передбачається, що число цих автономних пучків повинно бути достатнім для одночасної обробки всієї поверхні підкладки. Очевидно, що для сучасних підкладок діаметром 300 мм подібний підхід лежить, скоріше, в області наукової фантастики. [2]

Розглянемо основні фактори, що визначають швидкість формування малюнка, при використанні гостросфокусованого пучка електронів і методу мільтиплікування. Повна тривалість формування зображення Г на пластині, розділеної на N полів, визначиться за формулою

де t_е- тривалість експонування одного елемента; t₀ - час очікування, необхідний для переходу від одного елемента до іншого; t_m - час переносу підкладки для відповідності наступному полю; t_r-час суміщення, необхідний для розпізнавання реперних міток і суміщення положень в межах одного поля; Т_l - час заміни зразка та забезпечення вакууму. Час експонування t_е, в свою чергу, складається з часу експонування променем однієї точки і часу відхилення променя на один крок для переходу до іншої точки. Час експонування однієї точки і є час безпосередньої взаємодії електронного променя з резистом і підкладкою, а решта часу - службові операції, тривалість яких слід якомога зменшувати. [7]

 

3. НОВА ЕЛЕКТРОННА ЛІТОГРАФІЯ

Електронна літографія - один з перспективних, але поки що досить складний і дорогий для комерційного застосування метод створення і промислового виробництва найрізноманітніших пристроїв і компонентів пристроїв, що дозволяє досягти дозволу в 1 нм. Через цих особливостей електронної літографії, багато груп вчених по всьому світу розробляють аналоги даного методу. [6]

Так, американські вчені в недавно опублікованій роботі в журналі NanoLetters запропонували використовувати як джерело електронів тонкі плівки випромінювачів β-електронів, як, наприклад, 63Ni і Be3H2, придумавши методу яскраву назву SPEL(self-powered electron lithography). [9]

     

а)      б)

в)

Рисунок 7. (A) – Схема установки для SPEL. (B) - 3D –моделювання поведінки електронів за допомогою методу Монте-Карло. (С) -  Залежність одержуваної роздільної здатності від Z (див. рис. 7a). [5]

Виявилося, що в цьому випадку можна забезпечити роздільну здатність аж до 35 нм, що порівнянно з тими техпроцесами, які розробляються і використовуються на практиці провідними компаніями (Intel, AMD, IBM і т.д.) для виробництва нових поколінь процесорів і інших напівпровідникових пристроїв. Схема установки, наведена на рис. 7, надзвичайно проста, легко масштабована і не вимагає додаткових модулів (вакуумної системи, високовольтного джерела живлення тощо). Тонка плівка нітриду кремнію дозволяє послабити до прийнятних значень енергії потік β-електронів, а вольфрамова маска ефективно поглинає електрони в тих місцях, де це потрібно. Отримані результати говорять самі за себе (Рис. 8), роздільна здатність в 35 нм - не така вже й велика проблема. Варто відзначити також, що дана система дозволяє відразу засвічувати великі площі підкладок з фоторезистом, значно прискорюючи дану процедуру (рис. 9). Так як це не перша публікація даної наукової групи за методом SPEL, то вони вирішили продемонструвати усю міць розробки і створили масив сантиметрових розмірів кремнієвих наностержнів (діаметр 50 нм і радіус кривизни вершини 5  нм ) ,  що  відображає  менше  1%  падаючого  на  нього  випромінювання

(рис. 4). Безумовно, дана розробка знайде своє гідне застосування в різних областях нанотехнологій, адже з такими вражаючими характеристиками її можна використовувати при створенні нанопристроїв для комп'ютерної техніки, у виробництві високоефективних сонячних батарей і навіть при створенні кантилеверів для атомно-силової мікроскопії.[5]

Рисунок 8. Наноструктури, отримані методом SPEL. [5]

 

Рисунок 9 -  (A) Залежність потоку електронів від товщини використовуваної плівки джерела. (б) Порівняльна характеристика час опромінення –опромінювана площа для SPEL-методу з використанням ₆₃Ni і Be₃H₂ та електронної літографії [5]

Рисунок 10 - (A-B) сантиметрових розмірів масив наностержень, отриманий за технологією SPEL. (С) Результати вимірювання відбивної здатності даного масиву [5]

 

3. ПРОБЛЕМА СУМІЩЕННЯ

Для відповідності окремих фрагментів малюнка загальному зображенню застосовуються методи сполучення. Для цього кожен фрагмент малюнка, що відповідає одному растру електронного променя, забезпечений спеціальними реперними мітками - ділянками поверхні, що відрізняються будь-якими фізичними властивостями від інших ділянок і зберігають ці відмінності під час всіх технологічних операцій виготовлення мікросхеми. Необхідно, щоб ці відмінності були розпізнавані за допомогою інструментальних аналітичних методів. Найчастіше в ролі реперних знаків виступають геометричні фігури із золотої плівки або витравлені в підкладці канавки особливої конфігурації, легко розпізнавані інструментальними методами. Для ідентифікації реперних міток застосовують або спеціальний контролюючий електронний пучок, або робочий пучок з інтенсивністю електронів на кілька порядків менше, ніж при експонуванні. При взаємодії електронного променя з твердим тілом проходять різні процеси, які можуть використовуватися для ідентифікації реперних міток. Це генерація пружно відображених, непружно відображених та істинно вторинних електронів, оже-електронів, електромагнітного випромінювання у видимому, ультрафіолетовому і рентгенівському діапазоні. Для цих цілей можна також користуватися поглинанням електронів і наведеним струмом в р – n -переході. Сигнал від реперної мітки надходить у відповідний детектор, обробляється і порівнюється з записаним в пам'яті ЕОМ аналогом, після чого виробляється сигнал неузгодженості, що використовується для корекції позиціонування. Складність процесів, що відбуваються при ЕЛГ, призводить до необхідності розробки моделей, які їх пояснюють. [8]

 

4. АНАЛІТИЧНІ МОДЕЛІ
1. МОДЕЛЬ КАНАЯ

У 1969 р. японський фізик К. Каная запропонував першу модель, що описує процеси, що відбуваються при взаємодії електронного пучка з системою резист-підкладка. Ця модель представляла собою штучну умоглядну конструкцію.

Рисунок 6 – Модель Каная [2]:

1 – резист;

2 – підкладка.

 

Згідно цієї моделі (рис. 6) електронний пучок проходив через шар резиста 7, не взаємодіючи з ним, і заглиблювався в підкладку 2, також не взаємодіючи з нею, рухаючись прямолінійно і без втрати енергії до деякої гіпотетичної глибини x_d, досягнувши якої, електрони  починають розходитися дифузно і ізотропно по всьому об'єму сфери. Втрачати енергію електрони починають тільки після досягнення ними глибини x_d. Внаслідок втрат енергії та частина електронів, яка продовжує рухатися прямолінійно в початковому напрямку, проникне в підкладку до деякої глибини х_г, де електрони локалізуються. Цю результуючу глибину проникнення К. Каная запропонував обчислювати за формулою Вортінгтона-Томліна:

де J – середній потенціал збудження атома; А - атомна вага матеріалу підкладки; е-заряд електрона; N_A – число Авогадро, ρ  - щільність матеріалу підкладки, Z – атомний номер матеріалу підкладки; E_i інтегральна показникова функція.

Модель Каная повністю абстрагується від процесів, що відбуваються в плівці резиста і покладає профіль одержуваної лінії - прямий, як це показано на рис. 6. Залежність енерговиділення по глибині резиста також не береться до уваги. Для визначення величини x_d К. Каная запропонував вираз, в якому С є підгінним параметром зі значеннями від 8 до 12:

У місцях перетину твірної сфери з границею розділу резист-підкладка по Каная і проходить межа розширення зони обробки в порівнянні з діаметром променя. Передбачається, що електронний пучок має вигляд дельта-функції. Модель Каная давала поганий збіг теоретичних даних з експериментальними, тому не набула поширення. Наближення, що лежать в її основі і пов'язані з профілем одержуваної на резисті лінії, також не відповідали практичним цілям. [2]

2. МОДЕЛЬ ПРЯМОГО РОЗСІЮВАННЯ

 

Значно кращі результати дає аналітична модель, заснована на роздільному аналізі процесів прямого розсіювання первинного пучка в шарі резиста і процесів проникнення електронного пучка в підкладку і зворотного розсіювання в шар резиста. Модель ґрунтується на припущенні, що основним критерієм структурних змін в резисті є енергія, що виділилася в його об’ємі. Якщо вона менша за питому критичну енергію, то полімеризації або деструкції резиста не відбувається. При цьому розглядаються тільки процеси, що відбуваються поза зоною первинного променя, який розглядається як дельта-функція. Профіль одержуваної на резисті лінії апроксимується прямою. Повна виділена в об’ємі резиста енергія Q_Σ на відстані в від границі пучка розглядається як сума енергії Q₁, що виділилася за рахунок первинних електронів, і енергії Q₂, що виділилася за рахунок зворотно-відбитих від підкладки електронів. [10]

 Модель прямого розсіювання заснована на припущенні, що електрони, входячи в резистину плівку, зазнають розсіяння на малі кути перед входом в підкладку. Це розсіювання передбачається повністю пружним і втрати енергії електроном ігноруються. Модель припускає, що після акту розсіювання електрон починає відразу ж втрачати енергію. Для визначення цих енергетичних втрат найчастіше користуються моделлю Бете-Блоха, припускаючи, що під час свого руху електрон безперервно і монотонно втрачає енергію відповідно до виразу, який отримав назву закону Бете-Блоха:

де е – заряд електрона; Z – атомний номер матеріалу мішені; ρ – щільність речовини мішені (у даному випадку - резиста); Е₀- енергія електронів первинного пучка, α – параметр розсіювання. Середній потенціал іонізації атомів J в ЕЛГ трактується як енергія, необхідна для здійснення одного акта полімеризації або деструкції (в залежності від типу резиста). Згідно Баккеру і Сегре, , причому підгінний коефіцієнт k залежить від Z і для Z, що знаходиться в межах від 26 до 92, до - 9,4.

 

Відповідно до формули Бергера-Зельцера

Для Z менше 10 найбільш точною є формула Руста:

У припущенні гауссівского розподілу падаючих первинних електронів в шарі резиста при багаторазових зіткненнях максимальну величину енергії, що втрачається електронним пучком в одиниці об'єму на відстані у від первісної межі пучка, можна виразити таким чином:

де - середня величина втрати енергії на одиниці довжини шляху електрона; j – щільність струму в електронному пучку; τ – час опромінення; erf – гаусів інтеграл помилок; (ӯ²)^1/2 – середньоквадратичне відхилення електронів від первісної межі падаючого пучка. [2]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ВИСНОВКИ

 

1. У результаті виконання даної роботи розглянули основні види електронної літографії, технологічні процеси, що відбуваються при виготовленні цим способом, також основні проблеми та моделі методу.

2. Внаслідок виконаної роботи було встановлено, що ведуться активні розробки з удосконалення методу, оскільки існує ряд недоліків, основними з яких є складність та тривалість технічного процесу, а також висока вартість обладнання і сировини, необхідність дотримання жорстких умов при виготовленні цим способом.

3. У періодичній літературі повідомляється про винайдений новий Vacuum-Free Self-Powered Parallel спосіб літографії, що відрізняється надзвичайно привабливими для виробництва показниками. Викладена у роботі і підкріплена наведеними результатами досліджень нового методу, ця інформація несе потужну змістовну базу курсової роботи.

4. Можна зробити висновок, що з усіх розглянутих методів електронної літографії саме останній і є найбільш вигідним, доцільним та ефективним.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

 

1. http://www.studfiles.ru/dir/cat39/subj230/file13635.html

2. Марголин В.И., Жарбеев  В.А., Тупик В.А. Физические основы микроэлектроники из-во: Академия, 2008. – 400 с.

3. А. И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и дополненное. Москва: Наука-Физматлит, 2007. - 416 с.

4. А.В. Круглов, Д.О. Филатов. СКАНИРУЮЩАЯ ЗОНДОВАЯ ЛИТОГРАФИЯ: Описание лабораторной работы. Н. Новгород: Изд. ННГУ, 2004, - 19 с.

5. Yuerui Lu, Amit Lal. Vacuum-Free Self-Powered Parallel Electron Lithography with Sub-35-nm Resolution // NanoLetters. – 2010. - 10 (6), pp 2197–2201.

6. Kyu Won Lee, S. M. Yoon, S. C. Lee, W. Lee, I.-M. Kim and Cheol Eui Lee. Secondary Electron Generation in Electron-beam-irradiated Solids: Resolution. Limits to Nanolithography // Journal of the Korean Physical Society, Vol. 55, No. 4, October 2009, pp. 1720 – 1723

7. http://www.sciencedirect.com/science

8. Федоров Л.П., Багров В.М., Тихонов Ю.Н. Производство полупроводниковых приборов. - Москва: Энергия, 1979. - 432 с.

9. Mark A. McCord, Michael J. Rooks Microlithography, Micromachining and Microfabrication. Volume 1: Microlithography  //  American Chemical Society, - 2010. – 12(4), р. 34

10. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - Москва: Радио и связь, 1991. - 288 с.