Рамка, содержащая N = 200 витков тонкого провода, может свободно вращаться относительно оси, лежащей в плоскости рамки. Площадь рамки S = 50 см2 . Ось рамки перпендикулярна линиям индукции однородного магнитного поля (В = 0,05 Тл). (Решение → 42079)

Заказ №52532

Рамка, содержащая N = 200 витков тонкого провода, может свободно вращаться относительно оси, лежащей в плоскости рамки. Площадь рамки S = 50 см2 . Ось рамки перпендикулярна линиям индукции однородного магнитного поля (В = 0,05 Тл). Определите максимальную ЭДС Emax, которая индуцируется в рамке при вращении её с частотой n = 40 c-1 . Дано: В=005 Тл, N=200, n=40 с-1 , S=50 см2=5∙10-3 м 2 . Найти: εmaх

Решение:

При вращении рамки в магнитном поле в ней возникает ЭДС индукции. Согласно закону Фарадея ЭДС индукции равна скорости изменения магнитного потока dt d i     .   NBScos - полный магнитный поток, пронизывающий рамку (потокосцепление), где  - угол между векторами магнитной индукции и нормалью, проведенной к контуру, при равномерном вращении рамки в магнитном поле угол поворота 0  t  ,    2 n-циклическая частота, 0  - начальная фаза.

Рамка, содержащая N = 200 витков тонкого провода, может свободно вращаться относительно оси, лежащей в плоскости рамки. Площадь рамки S = 50 см2 . Ось рамки перпендикулярна линиям индукции однородного магнитного поля (В = 0,05 Тл).

Рамка, содержащая N = 200 витков тонкого провода, может свободно вращаться относительно оси, лежащей в плоскости рамки. Площадь рамки S = 50 см2 . Ось рамки перпендикулярна линиям индукции однородного магнитного поля (В = 0,05 Тл).

Рамка, содержащая N = 200 витков тонкого провода, может свободно вращаться относительно оси, лежащей в плоскости рамки. Площадь рамки S = 50 см2 . Ось рамки перпендикулярна линиям индукции однородного магнитного поля (В = 0,05 Тл).