Плоский конденсатор с заданным диэлектриком имеет размеры обкладок АхВ и толщину Н. Параметры диэлектрика. 2

Плоский конденсатор с заданным диэлектриком имеет размеры обкладок АхВ и толщину Н. Параметры диэлектрика. 2 (Решение → 37986)

Плоский конденсатор с заданным диэлектриком имеет размеры обкладок АхВ и толщину Н. Параметры диэлектрика приведены в таблице 4.1. Решить и сравнить силу тока утечки и мощность потерь конденсатора при частоте 100 и 2000 Гц. Поверхностным током утечки пренебречь. Таблица 4.1 – Исходные данные Вар. Диэлектрик , Ом·м  ε АхВ, мм Н, мм U, кВ 20 Кварцевое стекло 2015 0,0002 3,8 60х60 3 2,51



Плоский конденсатор с заданным диэлектриком имеет размеры обкладок АхВ и толщину Н. Параметры диэлектрика. 2 (Решение → 37986)

Объёмное сопротивление образца прямоугольной формы вычисляется по формуле [4]:
Объёмный ток:
Мощность потерь при постоянном напряжении определяется по формуле:
При включении конденсатора на переменное напряжение диэлектрические потери пропорциональны ёмкости . Ёмкость в Ф определяется по формуле:
,
где ε - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
ε0 – электрическая постоянная, равная 8,85∙10–12 Ф/м:
Диэлектрические потери на переменном напряжении определяются по формуле:
где = 2πf – циклическая частота, рад/с.
Имеем для указанных частот:
Нетрудно видеть, что потери мощности растут пропорционально частоте питающего напряжения.
4.


 

. Ёмкость в Ф определяется по формуле:
,
где ε - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
ε0 – электрическая постоянная, равная 8,85∙10–12 Ф/м:
Диэлектрические потери на переменном напряжении определяются по формуле:
где = 2πf – циклическая частота, рад/с.
Имеем для указанных частот:
Нетрудно видеть, что потери мощности растут пропорционально частоте питающего напряжения.
4.