Вычислить диффузионную длину электронов в полупроводнике β-Ag2Te р-типа и дырок в полупроводнике n-типа, если

Вычислить диффузионную длину электронов в полупроводнике β-Ag2Te р-типа и дырок в полупроводнике n-типа, если время жизни неосновных зарядов равно t=10-4 с, коэффициенты диффузии рассчитать из соотношения Эйнштейна D=к·T·μ/е, где к=1,38·10-23 Дж/К постоянная Больцмана Т=350 К, μ-подвижность носителя заряда, е=1,6·10-19 Кл заряд электрона.

Dn=к·T·μn/е=1,38·10-23·350·0,84/1,6·10-19=2,54·10-7 м2/с; Dр=к·T·μр/е=1,38·10-23·350·0,14/1,6·10-19=0,42·10-7 м2/с; Ln=√(Dn·tn)= √(2,54·10-7·10-4)=5,04·10-6 м=5,04 мкм; Lр=√(Dр·tр)= √(0,42·10-7·10-4)=2,05·10-6 м=2,05 мкм. Ответ: Ln =5,04 мкм; Lр =2,05 мкм.