Простые балки Исходные данные: Для приведенных схем простых балок построить эпюры внутренних усилий M и Q:
Простые балки Исходные данные: Для приведенных схем простых балок построить эпюры внутренних усилий M и Q: 1) сначала от каждого воздействия в отдельности; 2) затем от суммы всех внешних воздействий; 3) провести анализ НДС выполненных расчетов и сделать выводы о характере изменения внутренних усилий под нагрузкой. Рисунок SEQ Рисунок \* ARABIC 1 Расчетная схема к задаче 2.1 Таблица SEQ Таблица \* ARABIC 1 Исходные параметры к задаче 2.1 Пролеты, м m, кН·м P, кН q, кН/м l1 l2 l3 l4 m1 m2 m3 P1 P2 P3 q1 q2 2 2+L 4 4 4 5+F 3 L=0, F=8
Рисунок 2 Расчетная схема
Кинематический анализ
W=3D-3П-2Ш-C0=3·1-3·0-2·0-3=0
Система статически определима.
Определение опорных реакций
Σx=0: HA=0кН
ΣmA=0: -mA+m1+P3l1+l2+l3+q1l1+l222=0 → mA=m1+P3l1+l2+l3+q1l1+l222=4+13·2+2+4+32+222=132 кН·м
Σy=0: VA-q1·(l1+l2)-P3=0 →VA=q1·l1+l2+P3=3·2+2+13=25 кН
Рисунок 3 Опорные реакции
Построение эпюр внутренних усилий
Строим эпюру M «консольным способом».
На основе M строим эпюру Q.
Построение эпюр внутренних усилий от каждого воздействия
Эпюры внутренних усилий от действия момента m1
MB=MA=-m1=-4=-4 кН·м
Q=0 кН
Рисунок 4 Эпюры внутренних усилий от действия момента m1
Эпюры внутренних усилий от действия сосредоточенной силы P3
MA=-P3·l1+l2+l3=-13·8=-104 кН·м
Q=P3=13 кН
Рисунок 5 Эпюры внутренних усилий от действия силы P3
Эпюры внутренних усилий от действия распределенной нагрузки q1
MC=0 кН·м
MB=-q1·222=-3·222=-6 кН·м
MA=-q1·422=-3·422=-24 кН·м
QC=0 кН
QB=q1·2=3·2=6 кН
QA=q1·4=3·4=12 кН
Рисунок 6 Эпюры внутренних усилий от действия нагрузки q1
Эпюры внутренних усилий от суммы внешних воздействий
Рисунок 7 Эпюры внутренних усилий

- Простые цепи постоянного тока. Для электрической цепи постоянного тока составленной из резистивных элементов, дана схема,
- Просчитайте, пожалуйста, при каком росте продаж в период акции ROI будет положительным и проведение
- Протокол лабораторной работы №1 «Исследование параметров метеорологических условий в производственных помещениях» Группа:______ Студенты:____________________________________ ___________________________________________________________ ____________ (подпись преподавателя) Вариант №
- Протон влетел в магнитное поле с начальной скоростью v0 под углом α к линиям
- Протон, пройдя в плоском конденсаторе путь от одной пластины до другой, приобрел скорость v
- Протон, прошедший ускоряющую разность потенциалов U = 600 В, влетел в однородное магнитное поле
- Протон, прошедший ускоряющую разность потенциалов U =600 В, влетел в однородное магнитное поле с индукцией
- Пространство между двумя параллельными пластинами площадью S 300 см 2 заполнено газом. Пластины
- Пространство между двумя параллельными пластинами площадью S 300 см 2 заполнено газом. Пластины находятся
- Пространство между двумя параллельными пластинами площадью S = 300 см2 заполнено газом. Пластины находятся друг
- Пространство между двумя параллельными пластинами площадью заполнено газом. Пластины находятся друг от друга на
- Пространство между обкладками плоского конденсатора заполнено диэлектриком. Площадь каждой обкладки S = 0,01 м2.
- Пространство между обкладками плоского конденсатора, имеющими форму круглых дисков, заполнено однородной слабо проводящей средой
- Пространство между пластинами плоского конденсатора заполнено двумя слоями диэлектрика: стекла толщиной d1 = 0,2